臺媒：鴻海集團確定入局儲存產業 | 半導體行業觀察

來源：內容由 微信公眾號 半導體行業觀察 （ID：icbank） 綜合自「綜合自經濟日報等」，謝謝。

據臺灣經濟日報報道，鴻海集團對下世代儲存很有興趣，並已與SK集團長期策略合作。旗下半導體次集團總經理暨夏普董事劉揚偉證實，在於海力士合作之前，鴻海集團與臺灣的儲存大廠旺巨集也接觸過考量技術演進。

在鴻海方面看來，儲存持續往3D堆疊發展並有新技術崛起，可能會進入到下世代特殊型儲存，如類似MRAM（磁電阻式隨機存取儲存）、ReRAM（可變電阻式儲存）等應用。

鴻海集團1994年就開始低調發展半導體領域，近一年對外以「S次集團」浮上臺面，並納入集團整體陸續發展的晶圓裝置、封測、IC設計與服務等領域。另一方面，鴻海集團也積極在大陸尋找半導體領域投資標的，據瞭解，鴻海集團半導體擴張佈局傾向透過投資與收購，相關計畫都是「現在進行式」，善用大陸資源，促成半導體產業一條龍佈局，與集團發揮互補作用。

鴻海進軍儲存之心由來已久

去年，在東芝宣佈將出售儲存業務的時候，計劃改變代工局面，涉足上游的鴻海集團就表現出了對這塊業務的信心。

鴻海集團掌門人郭臺銘聯合戴爾、金士頓科技、蘋果等企業已想對東芝儲存發起收購。在郭看來，因為它們的產品在使用東芝的半導體，可以支撐起經營。他同時透露，亞馬遜已接近加入，鴻海與谷歌、微軟和思科的談判仍在進行中。

郭臺銘同時透露，希望鴻海與夏普的出資比率控制在40%以下，東芝的出資比率至少維持在15%。他還表示，為了追趕全球排名第一的韓國三星電子，其領頭的財團將大力進行研發投資。

鴻海一直是東芝晶片業務的堅定競購者。此前曾有訊息稱，鴻海向東芝晶片開出了3萬億日元（約合270億美元）的報價，在競購者的出價中排名第一。

但鴻海在這樁競購中卻被日本方面的不認可。

按照郭臺銘的說法，他之所以想入局儲存，是為了應對因人工智慧等領域不斷髮展而出現增長的資料中心需求。他強調，未來大資料、海量資料與8K影像都會用到更多儲存裝置。富士康是全球最大的伺服器製造廠，未來將需要更多更大量的儲存裝置，以滿足市場需求。而東芝掌握的最新型儲存媒體“固態硬碟（SSD）”也被郭臺銘特別強調。他認為，固態硬碟具有出色的節能性，掌握著未來產業的關鍵。

但最後鴻海出局，東芝儲存售給以美國投資公司貝恩（Bain Capital）為主的「美日韓聯盟」，這是後話。

下世代儲存技術看誰？

現代電子產品中，儲存扮演不可或缺的重要的角色。2017年半導體產業產值預估首次超過4,000億美元，其中原因之一是儲存需求大增，廠商能提高售價，2017年營收成長約五成，南韓三星是最大的儲存供應商，獲利最大。這波儲存熱潮預計被新興的需求繼續推動，物聯網、穿戴式裝置、雲端儲存和巨量資料運算等都將成帶動儲存市場的動能。

目前儲存依儲存特性，以斷電後資料是否消失可分為揮發性和非揮發性儲存，揮發性儲存斷電後資料不能留存，成本較高但是速度快，通常用於資料暫存；非揮發性儲存存取速度較慢，但可長久儲存資料。

由於主流儲存DRAM與NAND在微縮製程上已出現瓶頸與影響，因此找出替代性的解決方案或改變電路等，以因應未來資料儲存需求，將是目前儲存產業最重要的議題。

開發下世代儲存的三大衡量標準包括成本、元件效能、可微縮性與密度等，其中成本需考量儲存顆粒、模組與控制電路等總體；元件效能則包含延遲時間、可靠度、資料儲存耐久度等。

下世代的儲存，目前普遍朝向改變過去儲存電荷來存取資料的方式，藉由改變儲存狀態機制解決製程上的限制，另外，低功耗為下世代儲存甚至元件的共通目標。

同時兼具運算、儲存能力的下世代儲存，如磁阻式儲存(MRAM)、電阻式儲存(RRAM)、3D XPoint技術與高潛力的自旋電子磁性儲存(STT-MRAM)等，就成為下世代儲存技術的新寵兒。

MRAM的技術在學理上存取速度將超越DRAM達到接近SRAM，且斷電後資料不流失，早期由Everspin公司開發，被視為下世代儲存技術的重要的競爭者。2017年是MRAM技術爆發的一年，當年在日本舉辦的大型積體電路技術日本舉辦的大型積體電路技術、系統和應用國際研討會，格羅方德與Everspin公司共同釋出有抗熱消磁eMRAN技術，具能夠讓資料在攝氏150度下儲存資料，可長達十數年的22納米制程的製程技術，預計2017年底、2018年投產。

而曾經投入儲存研發生產，但卻不敵成本高昂而退出儲存市場的臺積電，在2017年臺積電技術論壇中，揭露已具備22納米制程嵌入式磁阻式儲存(eMRAM)的生產技術，預定2018年試產。

RRAM其優點是消耗電力較NAND低，且寫入資訊速度比NAND快快閃記憶體儲快1萬倍，主要投入研究的廠商有美光、Sony、三星。

臺積電也已宣佈具備生產22奈米eRRAM技術。3D XPoint技術的主要廠商為英特爾與美光，採用多層線路構成的三維結構，並採用柵狀電線電阻來表示0和1，原理類似RRAM。

為儲存裝置的良好的替代品，具有比NAND快快閃記憶體儲快了近1,000倍，也可用於運算速度要求低的計算應用。

STT-MRAM是運用量子力學的電子自旋角動量的技術應用，具有DRAM和SRAM的高效能且低功耗，並相容現有的CMOS製造技術與製程。

目前主要投入廠商有IBM與三星、SK海力士和東芝，其中IBM和三星在IEEE釋出研究論文表示，已成功實現10奈秒的傳輸速度和超省電架構。

儘管下世代儲存未來有望取代部分DRAM與NAND快快閃記憶體儲的市場，甚至取代舊有技術。但是筆者認為，隨著人工智慧、物聯網裝置與更多的資料收集與感測需求，下世代的儲存技術首先將著眼於以新應用的需求為主，如臺積電鎖定的嵌入式儲存，並充分發揮運算與儲存二合一的優勢，進一步微縮大小，達到元件更高的市場滲透率。

但是若從廠商動態來看，22奈米的eMRAM技術將於2018年年後逐漸成熟，並開始有大量的市場應用。