2017-2018-1 20155231 課堂測試 （ch06）
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1
(單選題|1分)
下面代碼中，對數組x填充後，采用直接映射高速緩存，所有對x和y引用的命中率為（D）
A .1
B .1/4
C .1/2
D .3/4
2
(多選題|1分)
有關高速緩存的說法正確的是（ACD）
:
A. 高速緩存的容量可以用C=SEB 來計算
B. 高速緩存容量為2048，高速緩存結構為（ 32 ，8，8，32）
C. 直接映射高速緩存要：組選擇、行匹配、字抽取
D. 當程序訪問大小為2的冪的數組時，直接映射高帶緩存中常發生沖突不命中
3
(多選題|1分)
The following table gives the parameters for a number of different caches. For
each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),
and block offset bits (b) (ACD)
:
A . 第三行S為1
B . 第一行t為24
C . 第二行b為5
D . 第三行s的值為0
4
(多選題|1分)
有關緩存的說法，正確的是（AC）
:
A. LRU策略指的是替換策略的緩存會選擇最後被訪問時間距現在最遠的塊
B. 不同層之間以字節為傳送單元來回復制
C. 緩存不命時，決定哪個塊是犧牲塊由替換策略來控制
D. 空緩存的不命中叫沖突不命中
5
(多選題|1分)
下面說法正確的是（ABC）
:
A. 存儲層次結構中最小的緩存是寄存器
B. 存儲層次結構的中心思想是每一層都緩存來自較低一層的數據對象
C. L4主存可以看作是L5：本地磁盤的緩存
D. L4主存可以看作是L6的緩存
6
(單選題|1分)
下面代碼的步長是（C）
:
A. 1
B. N
C. N*N
D. NNN
7
(單選題|1分)
下面代碼中（C）局部性最差
1 #define N 1000
2 3
typedef struct {
4 int vel[3];
5 int acc[3];
6 } point;
7 8
point p[N];
:
A.
1 void clear1(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (j = 0; j < 3; j++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }
B.
1 void clear2(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++) {
7 p[i].vel[j] = 0;
8 p[i].acc[j] = 0;
9 }
10 }
11 }
C.
1 void clear3(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (j = 0; j < 3; j++) {
6 for (i = 0; i < n; i++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (i = 0; i < n; i++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }
D.
不確定
8
(單選題|1分)
程序中（C）語句具有良好的局部性
:
A .順序
B .分支
C .循環
D .以上都是
9
(單選題|1分)
下面代碼，（C）具有差的空間局部性。
:
A .
1 int sumvec(int v[N])
2 {
3 int i, sum = 0;
4
5 for (i = 0; i < N; i++)
6 sum += v[i];
7 return sum;
8 }
B .
1 int sumarrayrows(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (i = 0; i < M; i++)
6 for (j = 0; j < N; j++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 }
C .
1 int sumarraycols(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (j = 0; j < N; j++)
6 for (i = 0; i < M; i++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 }
D .以上都不對
10
(多選題|1分)
有關局部性原理，說法正確的是（ABD）
:
A .程序訪問一個向量，步長越小或短，空間局部性越好
B .局部性有兩種形式：空間局部性，時間局部性
C .程序訪問一個向量，步長越大空間局部性越好。
D .硬件、OS，應用程序都會用到局部性原理
11
(多選題|1分)
下面說法正確的是（ABCD）
:
A .CPU通過內存映射I/O向I/O設備發命令
B .DMA傳送不需要CPU的幹涉
C .SSD是一種基於閃存或Flash的存儲技術
D .邏輯磁盤塊的邏輯塊號可以翻譯成一個（盤面，磁道，扇區 ）三元組。
12
(單選題|1分)
下面（B）是I/O總線
:
A .USB
B .PCI
C .網卡
D .圖形卡
13
(單選題|1分)
圖中磁盤一個扇區的訪問時間約為（A）ms
:
A .10
B .5
C .6
D .8
E .12
14
(多選題|1分)
有關磁盤操作，說法正確的是（AC）
:
A .對磁盤扇區的訪問時間包括三個部分中，傳送時間最小。
B .磁盤以字節為單位讀寫數據
C .磁盤以扇區為單位讀寫數據
D .讀寫頭總處於同一柱面
15
(單選題|1分)
計算下面磁盤的容量（C）：4個盤片，100000個柱面，每條磁道400個扇區，每個扇區512個字節
:
A .81.92GB
B .40.96GB
C .163.84
D .327.68GB
16
(多選題|1分)
有關磁盤，說法正確的是（AC）
:
A .磁盤的讀取時間為毫秒級
B .每張磁盤有一個表面
C .表面由磁道組成
D .每個扇區的面積不同，包含的數據位的數量也不一樣
17
(多選題|1分)
根據攜帶信號不同，總線可分為（BDE）
:
A .系統總線
B .數據總線
C .內存總線
D .地址總線
E .控制總線
18
(多選題|1分)
關於非易失性存儲器，下面說法正確的是（CE）
:
A .DRAM是非易失性存儲器
B .SRAM是非易失性存儲器
C .PROM只能編程一次
D .EEPROM可以用紫外線進行擦除
E .存在ROM中的程序通常被稱為固件
19
(單選題|1分)
通過使用兩個時鐘沿作為控制信號，對DRAM進行增強的是（C）
:
A .FPM DAM
B .SDRAM
C .DDR SDRAM
D .VRAM
E .EDO DRAM
20
(多選題|1分)
有關RAM的說法，正確的是（ADEG）
:
A .SRAM和DRAM掉電後均無法保存裏面的內容。
B .DRAM將一個bit存在一個雙穩態的存儲單元中
C .一般來說，SRAM比DRAM快
D .SRAM常用來作高速緩存
E .DRAM將每一個bit存儲為對一個電容充電
F .SRAM需要不斷刷新
G .DRAM被組織為二維數組而不是線性數組
21
(多選題|1分)
有關計算機存儲系統，下面說法正確的是（BCD）
:
A .程序具有良好的局部性表現在傾向於從存儲器層次結構中的較低層次處訪問數據，這樣節省時間
B .存儲層次涉用不同容量，成本，訪問時間的存儲設備
C .存儲層次設計基於局部性原理
D .“存儲山”是時間局部性和空間局部性的函數
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