MOS管驅動
1.柵極用低電平驅動PMOS導通（高電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。
2.柵極用高電平驅動NMOS導通（低電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止。
對PMOS來說，最優的設計是，負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R16接在源極和VCC之間。
對NMOS來說，最優的設計是，負載R18接在漏極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R18接在源極和GND之間。
MOS管驅動
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