快恢復二極體從名稱上很好理解，肖特基二極體是以人名命名，由於製造I藝完全不同，是肖特基博士的一個創新。

　　肖特基二極體是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基二極體

　　(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN接面原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理製作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極體或表面勢壘二極體，它是一種熱載流子二極體。

　　肖特基二極體和快恢復二極體在物理結構上是不一樣的。肖特基二極體的陽極是金屬，陰極是N型半導體;快恢復二極體基本結構仍然是普通的PIN二極體，即陰陽極分別為N和P型半導體。物理結構決定了兩者的電特性。

　　1.肖特基二極體耐壓較低，通常在200V以下,同等耐壓，相同電流下，肖特基二極體的正向壓降低於快恢復二極體。

　　2.肖特基二極體載流子只有電子，理論上沒有反向恢復時間，而快恢復二極體本質上和PIN二極體-一樣，是少子器件的反向恢復時間通常在幾十到幾百ns。

　　3.額定反向耐壓下，快恢復二極體的反向漏電流較小，通常在幾uA到幾十uA;肖特基二極體的反向漏電流則通常達到幾百uA到幾+mA，且隨溫度升高急劇增大。