1.最小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR。VBR是TVS管最小的擊穿電壓，在25℃時，低於這個電壓TVS管是不會產生雪崩的。當TVS管流過規定的1mA電流(IR)時，加於TVS管兩極的電壓為其最小擊穿電壓VBR。按TVS管的VBR與標準值的離散程度，可把VBR分為5%和10%兩種。對於5%的VBR來說，VWM=0.85VBR;對於10%的VBR來說，VWM=0.81VBR。為了滿足IEC61000-4-2國際標準，TVS管必須達到可以處理最小8kV(接觸)和15kV(空氣)的ESD衝擊，部份半導體廠商在自己的產品上使用了更高的抗衝擊標準。對於某些有特殊要求的可攜裝置應用，設計者可以依需要挑選元件。

　　2.反向漏電流ID和額定反向切斷電壓VWM。VWM是TVS管在正常狀態時可承受的電壓，此電壓應大於或等於被保護電路的正常工作電壓，否則TVS管會不斷截止迴路電壓;但它又需要儘量與被保護迴路的正常工作電壓接近，這樣才不會在TVS管工作以前使整個迴路面對過壓威脅。當這個額定反向切斷電壓VWM加於TVS管的兩極間時它處於反向切斷狀態，流過它的電流應小於或等於其最大反向漏電流ID。

　　3.鉗位電壓VC和峰值脈衝電流IPP。當持續時間為20ms的脈衝峰值電流IPP流過TVS管時，在其兩端出現的峰值電壓為VC。VC、IPP反映了TVS管的突波抑制能力。VC與VBR之比稱為鉗位因子，一般在1.2~1.4之間。VC是二極體在截止狀態提供的電壓，也就是在ESD衝擊狀態時通過TVS管的電壓，它不能大於被保護迴路的可承受極限電壓，否則元件面臨被損傷的危險。

　　4.Pppm額定脈衝功率，這是基於最大截止電壓和此時的峰值脈衝電流。對於手持裝置，一般來說500W的TVS就足夠了。峰值脈衝功耗PM是TVS管能承受的峰值脈衝功耗值。在特定的鉗位電壓下，功耗PM越大，其突波電流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，鉗位電壓VC越低，其突波電流的承受能力越大。另外，峰值脈衝功耗還與脈衝波形、持續時間和環境溫度有關。而且，TVS管所能承受的瞬態脈衝是不重覆的，元件規定的脈衝重覆頻率(持續時間與間歇時間之比)為0.01%。如果電路內出現重覆性脈衝，應考慮脈衝功率的累積，有可能損壞TVS管。

　　5.電容器量C。電容器量C是由TVS雪崩結截面決定的，是在特定的1MHz頻率下測得的。C的大小與TVS管的電流承受能力成正比，C太大將使訊號衰減。因此，C是資料介面電路選用TVS管的重要引數。電容器對於資料/訊號頻率越高的迴路，TVS管的電容器對電路的干擾越大，形成噪音或衰減訊號強度，因此需要根據迴路的特性來決定所選元件的電容器範圍。高頻迴路一般選擇電容器應儘量小(如LCTVS、低電容器TVS管，電容器不大於3pF)，而對電容器要求不高的迴路電容器選擇可高於40pF。