所有MOS管集成電路(包括P溝道MOS,N溝道MOS，互補MOS管-CMOS集成電路)都有一層絕緣

　　柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻一二極管網絡進行保護，雖然如此，器件內的保護網絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至於與電源端VDDGND短路或開路，器件完全喪失了原有的功能。稍次一等嚴重的損害是出現斷續的失效或者是性能的退化，那就更難察覺。還有一些靜電損害會使泄漏電流增加導致器件性能變壞。

　　由於不可避免的短時間操作弓起的高靜電電壓放電現像，例如人在打臘地板上走動時會弓起高達4KV-15KV的靜電高壓，此高壓與環境濕度和表面的條件有關，因而在使用CMOS管、NMOS管器件時必須遵守下列預防準則:

　　1、不要超過手冊上所列出的極限工作條件的限制。

　　2、器件上所有空閑的輸入端必須接VDD或VSS,並且要接觸良好。

　　3、所有低阻抗設備(例如脈沖信號發生器等)在接到CMOS或NMOS集成電路輸入端以前必然讓器件先接通電源，同樣設備與器件斷開後器件才能斷開電源。

　　4、包含有CMOS管和NMOS管集成電路的印刷電路板僅僅是一個器件的延伸，同樣需要遵守操作準則。從印刷電路板邊緣的接插件直接聯線到器件也能引起器件損傷，必須避免一般的塑料包裝，印刷電路板接插件上的CMOS管或NMOS管集成電路的地址輸入端或輸出端應當串聯一個電阻，由於這些串聯電阻和輸入電容的時間常數增加了延遲時間。這個電阻將會限制由於印刷電路板移動或與易產生靜電的材料接觸所產生的靜電高壓損傷。

　　5、所有CMOS管和NMOS管集成電路的儲存和運輸過程必須采用抗靜電材料做成的容器，而不能按常規將器件插入塑料或放在普通塑料的托盤內，直到準備使用時才能從抗靜電材料容器中取出來。

　　6、所有CMOS管和NMOS管集成電路應當放置在接地良好的工作臺上，鑒於工作人員也能對工作臺產出靜電放電，所以工作人員在操作器件之前自身必須先接地，為此建議工作人員要用牢固的導電帶將手腕或肘部與工作臺表面連接良好。

　　7、尼龍或其它易產生靜電的材料不允許與CMOS管和NMOS管集成電路接觸。

　　8、在自動化操作過程中，由於器件的運動，傳送帶的運動和印刷電路板的運動可能會產生很高的靜電壓，因此要在車間內使用電離空氣鼓風機和增濕機使室內相對濕度在35%以上，凡是能和集成電路接觸的設備的頂蓋、底部、側面部分均要采用接地的金屬或其它導電材料。

　　9、冷凍室要用二氧化碳制冷，並且要放置隔板，而器件必須放在尋電材料的容器內。

　　10、需要扳直外引線和用手工焊接時，要采用手腕接地的措施，焊料罐也要接地。

分析MOS管集成電路操作規則