1.開啟電壓VT

　　開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

　　2.直流輸入電阻RGS

　　即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

　　3.漏源擊穿電壓BVDS

　　在VGS=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

　　ID劇增的原因有下列兩個方面：

　　（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

　　（2）漏源極間的穿通擊穿

　　有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID。

　　4.柵源擊穿電壓BVGS

　　在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

　　5.低頻跨導gm

　　在VDS為某一固定數值的條件下，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導。gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵

　　6.導通電阻RON

　　導通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數，在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間，由於在數位電路中，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似。對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內。

　　7.極間電容

　　三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

　　CGS和CGD約為1～3pF

　　CDS約在0.1～1pF之間。

　　8.低頻噪聲係數NF

　　噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的，由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化，噪聲效能的大小通常用噪聲係數NF來表示，它的單位為分貝（dB）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小，低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數。場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小。