肖特基二極管是將P型半導體或者N型半導體與金屬表面襯體交互作用，並最終形成穩定結構，可分為物理吸附類型與化學吸附類型。肖特基二極管由於其獨特的微觀結構而具有整流效應，被廣泛應用於傳感器、分子開關、集成電路等諸多電子器件中。現如今，如何降低肖特基高度而且同時又能保持分子的完整性，成為設計高效肖特基二極管的難點。因此目前急需設計開發出將物理吸附和化學吸附結合在一起，使其擁有雙重優點的肖特基二極管。ADT分子吸附在銅表面的雙穩態在實驗上得到了印證，而且被應用於分子開關中，並取得了很好的效應。與傳統有機分子相比，其具有較深的HOMO能級，因此其電離能更大，暴露在空氣中時，其具有的抗氧化性更高。文獻PHYSICALREVIEWB79,165306(2009)講述了一種將F4TCNQ吸附在Cu，Ag，Au表面上的肖特基二極管設計方法，其所得到的肖特基高度較大，且其吸附類型為化學吸附，分子變形較大，使得結構的完整性得到了破壞；文獻NewJournalofPhysics11(2009)053010(21pp)講述了將PTCDA吸附在Ag表面上的設計方法，其吸附類型為物理吸附，雖然保持了結構的完整性，但是其肖特基高度較大，性能較差。我們設計的雙穩態的方法，可以將兩者結合起來，既能保持完整性，又能具有較小的導通電壓。

　　針對現有技術的不足，本專利技術提供一種具有雙穩態的肖特基二極管設計方法，能夠解決正向導通電壓高，分子結構變形的問題。為解決上述技術問題，本專利技術采用的一個技術

　　一種具有雙穩態結構的肖特基二極管設計方法，其特征在於，所述設計方法至少包括以下步驟：(1)從銅體相中得到純凈的8×4×5的Cu(111)表面，對其結構進行優化得到其晶格常數和費米能級大小；(2)構建出ADT分子，對其結構進行優化，得到其禁帶寬；(3)再將優化後的ADT分子吸附在優化後的Cu(111)面不同位置上，再分別對其結構進行優化；(4)檢查其結果，並且找出能夠穩定存在的結構；(5)計算該穩定存在結構的界面偶極矩，確定其肖特基高度。

　　1.一種具有雙穩態結構的肖特基二極管設計方法，其特征在於，所述設計方法至少包括以下步驟：(1)從銅體相中得到純凈的8×4×5的Cu(111)表面，對其結構進行優化得到其晶格常數和費米能級大小；(2)構建出ADT分子，對其結構進行優化，得到其禁帶寬；(3)再將優化後的ADT分子吸附在優化後的Cu(111)面不同位置上，再分別對其結構進行優化；(4)檢查其結果，並且找出能夠穩定存在的結構；(5)計算該穩定存在結構的界面偶極矩，確定其肖特基高度。2.如權利要求1所述的設計方法，其特征在於，從銅體相中得到純凈的Cu(111)表面的方法如下：利用MaterialsStudio軟件，導入銅單胞結構，將其晶面指數改為(111)，並且建立8×4×5的超胞，加入的真空層將其導出

解析雙穩態肖特基二極管的設計