看圖說話，MOS其實是四端器件，這個模電有說，但我們平時用到的沒有4個端的啊，因為製作的時候把圖中的沉底和S級連在一起了。很容易看得出，本來是完全對稱的，因為BS連在一起了，就不對稱了，途中的PN接面本來有2個，結果只有一個了，這個就是body diode了。5 k4 H' `9 j* `) s
那也很容易知道，假如BS沒有連線在一起，就有2個二極體，Vgb不夠，DS是不會導通的，雖然有二極體但是2個背靠背就不用關心了反正沒有Vgb不導通。當然此時DS是可以互換的。

漏-源之間的寄生二極體能夠承受的最大正向電流和管子的最大漏極電流等大。。甚至能再稍大一些。。
你研究下VMOS管的物理結構就明白了，正常工作時，該寄生結構就起到隔離作用，面積大的很。
設計中，這個指標不要太在意，關鍵不要超過最大耗散功率就好。
電路設計時也允許利用這個二極體通過大電流。。同步整流器就是電流反著流的。
但要注意：這個二極體的開關特性不甚理想，如果你需要反向快速關斷的話，需要額外並聯快恢復二極體。 

我也在做電子負載，那次發現接反了單管16A不燒管以後，我就不再加防反接二極體了。。。。多加一個管就多一份熱，反而增加不穩定性的危險，反正我是要做多管的，反接時4個管按標稱可承受好38.4X4=153.6安了，就算到1/3也是50A上下， 怕毛。。。。感覺很難燒壞