SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。

    SLC 利用正、負兩種電荷  一個浮動柵儲存1個bit的資訊，約10萬次擦寫壽命。

    MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命，

    MLC利用不同電位的電荷，一個浮動柵儲存2個bit的資訊，約一萬次擦寫壽命，SLC-MLC【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。

    TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。

TLC利用不同電位的電荷，一個浮動柵儲存3個bit的資訊，約500-1000次擦寫壽命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。

NAND Flash、NOR flash 和EEPROM 的主要特點和差異：

a. EEPROM：這種rom 的特點是可以隨機訪問和修改任何一個位元組，可以往每個bit 中
寫入0 或者1。掉電後資料不丟失，可以儲存100 年，可以擦寫100 萬次。具有較高的可靠
性，但是電路複雜/成本也高，所以容量一般較小；
b. Flash 在擦除時不再以位元組為單位，而是以塊為單位，一次簡化了電路，資料密度更
高，降低了成本。Flash 分為Nor Flash 和Nand Flash，Flash 的壽命一般只有10 萬次左右；
c. NOR Flash 資料線和地址線分開，可以實現ram 一樣的隨機定址功能，可以讀取任何
一個位元組。但是擦除仍要按塊來擦；
d. NAND Flash 同樣是按塊擦除，但是資料線和地址線複用，不能利用地址線隨機定址，
讀取只能按頁來讀取（NAND Flash 按塊來擦除，按頁來讀，NOR Flash 沒有頁）；
e. 由於Nand Flash 引腳上覆用，因此讀取速度比NOR Flash 慢一點，但是擦除和寫入速
度比NOR Flash 快很多。NAND Flash 內部電路更簡單，因此資料密度大，體積小，成本也低。
因此大容量的Flash 都是NAND 型的。小容量的Flash 多是NOR 型的。
f. 使用壽命上，NAND Flash 的擦除次數是NOR 的數倍。而且NAND Flash 可以標記壞塊，
從而使軟體跳過壞塊。NOR Flash 一旦損壞便無法再用。
g. 因為NOR Flash 可以進行位元組定址，所以程式可以在NOR Flash 中執行。嵌入式系統
多用一個小容量的NOR Flash 儲存引導程式碼，用一個大容量的NAND Flash 存放檔案系統和內
核。