無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷儲存效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極體快。

　　常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。

　　在開關電源應用方面，這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執行開關功能，這些開關交替在電感裡儲存能量，然後把能量釋放給負載。我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當於一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員最關心的是MOS的最小傳導損耗。

　　我們經常看MOS管的PDF引數，MOS管制造商採用RDS(ON)引數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是最重要的器件特性。資料手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對於充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態引數。一直處於導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管資料手冊規定了熱阻抗引數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

　　1.發熱情況有，電路設計的問題，就是讓MOS管工作線上性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高几V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全開啟而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

　　2，頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了

　　3，沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小於最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

　　4，MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大.