1、晶片發熱

　　主要針對內建電源調製器的高壓驅動晶片。假如晶片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在晶片上面，晶片的功耗為0.6W，當然會引起晶片的發熱。驅動晶片的最大電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低晶片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那麼請想辦法將晶片的功耗分到晶片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。

　　2、功率管發熱

　　關於這個問題，也見到過有人在電源網論壇發過貼。功率管的功耗分成兩部分，開關損耗和導通損耗。要注意，大多數場合特別是LED市電驅動應用，開關損害要遠大於導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及晶片的驅動能力和工作頻率有關，所以要解決功率管的發熱可以從以下幾個方面解決：A、不能片面根據導通電阻大小來選擇

　　3、工作頻率降頻

　　這個也是使用者在除錯過程中比較常見的現象，降頻主要由兩個方面導致。輸入電壓和負載電壓的比例小、系統干擾大。對於前者，注意不要將負載電壓設定的太高，雖然負載電壓高，效率會高點。對於後者，可以嘗試以下幾個方面：a、將最小電流設定的再小點;b、佈線乾淨點，特別是sense這個關鍵路徑;c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感;d、加RC低通濾波吧，這個影響有點不好，C的一致性不好，偏差有點大，不過對於照明來說應該夠了。無論如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。

　　4、電感或者變壓器的選擇

　　終於談到重點了，我還沒有入門，只能瞎說點飽和的影響了。很多使用者反應，相同的驅動電路，用a生產的電感沒有問題，用b生產的電感電流就變小了。遇到這種情況，要看看電感電流波形。有的工程師沒有注意到這個現象，直接調節sense電阻或者工作頻率達到需要的電流，這樣做可能會嚴重影響LED的使用壽命。所以說，在設計前，合理的計算是必須的，如果理論計算的引數和除錯引數差的有點遠，要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。變壓器飽和時，L會變小，導致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升，那麼LED的峰值電流也跟著增加。在平均電流不變的前提下，只能看著光衰了。

　　5、LED電流大小

　　大家都知道LEDripple過大的話，LED壽命會受到影響，影響有多大，也沒見過哪個專家說過。以前問過LED廠這個資料，他們說30%以內都可以接受，不過後來沒有經過驗證。建議還是儘量控制小點。如果散熱解決的不好的話，LED一定要降額使用。也希望有專家能給個具體指標，要不然影響LED的推廣。