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閱讀筆記:Inside NAND Flash Memory. Chapter 2.

2 NAND overview: from memory to systems

2.2 NAND memory

記憶體單元是以矩陣的形式排列的。在NAND string中,記憶體單元是32個或者64個一組序列連線的,兩個選擇電晶體放在string的兩個邊緣,以保證source line(thought MSLM_{SL})和bitline之間的連通。NAND string之間共享bitline控制門(Control Gate)通過字線(wordline)相連。

在這裡插入圖片描述 邏輯頁由同一個字線下的記憶體單元組成,每個字線下的邏輯頁數目取決於記憶體單元的儲存能力。Flash memory可以分為SLC、MLC、TLC、16LC. 如果我們考慮SLC的情況,奇偶單元來自兩個不同的頁。比如說一個4kB page的SLC裝置有一個65536 cells的字線。而在MLC的情況下,由於每個記憶體單元可以儲存兩位,Least Significant Bit (LSB)

Most Significant Bit (MSB)