晶體三極管主要分三個部分學習，第一，掌握三極管的基礎知識，包括其電流分配原理、主要參數、模型分析和伏安特性曲線；第二，掌握放大電路的主要性能指標及分析方法；第三，結合實際放大電路，計算分析放大電路的各種參數，結合實例分析共發射級電路和共集電極放大電路兩種。集成放大器芯片，一般作為理想器件分析，但器件總不會是理想器件，學會分析基本的放大電路，可以對集成芯片的放大器做出各種補償對策，以便於更好的把控器件的使用。

一.三極管基礎知識

1.本征半導體

2.雜質半導體（P型和N型）

3.半導體導電的機理

半導體中有兩種載流子，電子和空穴，其對應的運動也有兩種，擴散運動和漂移運動，分別形成擴散電流和漂移電流。

擴散運動：外電場的作用；漂移運動：濃度差

二.放大電路概述

1.工藝過程

通過摻雜工藝將本征矽或者鍺片的一邊做成P型半導體，另一邊做成N型半導體，這樣它們的表面會形成很薄的特殊物理層，稱為PN結。根據P區和N區摻雜濃度的不同可以分為對稱結和非對稱結，非對稱結包括。

2.形成過程及原理

P區空穴多，N區電子多，形成了載流子濃度差，空穴和電子做擴散運動形成擴散電流，擴散運動後的電子和空穴分別在其對立區內與空穴和電子復合，在交界面的P區和N區分別留下了不能夠移動的等量受主離子和等量施主離子，通常把這個區域叫做空間電荷區，又叫做勢壘區。

在交界面形成了勢壘電壓

當=時，通過空間電荷區的凈載流子為0，平衡狀態下，空間電荷區的寬度一定，的值也保持不變。

為施主離子濃度，受主離子濃度。

一般情況，矽的勢壘電壓為0.5~0.7V，鍺的勢壘電壓為0.2~0.3V，溫度升高1℃，勢壘電壓降低0.25mV。

3.特性

（1）正向特性

外加電壓加在阻擋層上面時，方向與勢壘電壓相反，則阻擋層的電壓減小為，阻擋層減小，擴散運動增強，P區的空穴源源不斷的通過阻擋層到達N區，N區的電子不斷的擴散到P區，形成了由P到N的正向電流。

（2）反向特性

反加電壓加在阻擋層上面時，方向與勢壘電壓相同，則阻擋層的電壓減小為，阻擋層增大，只有P區的少數載流子通過阻擋層到達N區，N區的少數空穴到P區，形成了由N到P的反向電流，又叫做反向飽和電流。

矽：

鍺：

（3）伏安特性

（4）擊穿特性

雪崩擊穿：

齊納擊穿：

（5）溫度特性

（6）電容特性

三．共射級放大電路分析

1.晶體二極管的特性

（1）正相特性

（2）反向特性

（3）溫度特性

（4）反向擊穿性

2.二極管的主要參數

直流參數：

（1）最大整流電流I_F：長期運行時允許通過的最大電流

（2）反向擊穿電壓V_BR：二極管反向擊穿時的電壓

（3）最大反向工作電壓V_RM：工作時允許的最大電壓，一般為擊穿電壓的一半。

（4）反向電流I_R（反向飽和電流I_s）：二極管未擊穿時候的反向電流，其值越小說明單向導電性越好。

（5）直流電阻R_D：直流電壓與電流之比，其值是一個變量，靜態在工作點斜率的倒數。

交流參數：

1. 交流電阻r_d：Q點附近電壓變化量與電流變化量之比。

   

（2）結電容C_j：勢壘電容和擴散電容總效果。

（3）最高工作頻率f_M：超過此頻率，單向導通性惡化。

2.幾種特殊的二極管

（1）穩壓二極管

（2）變容二極管

（3）肖特基二極管

（4）發光二極管

（5）光電耦合器

四.共集電極電路分析

晶體三極管及其基本放大電路（一）