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華虹巨集力的2018年:華虹無錫專案獲大基金力挺,特色工藝驅動業績大漲

集微網訊息,前幾天的“華虹七廠主體結構全面封頂暨華夫板結構澆築順利完成儀式”上,華虹集團黨委書記、董事長張素心表示:“回顧2018,對於華虹、對於積體電路產業都是非常重要、非常難忘的一年”。

作為中國大陸最早的晶圓代工廠之一,華虹巨集力的2018年亮點頻頻,包括華虹無錫專案獲國家大基金出資、專案建設順利推進;特色工藝戰略成效顯著,業績突出,已經實現連續31個季度盈利;創新能力獲認可,在“2018中國企業創新能力百強排行榜”中位列第四名。

當下,各種智慧卡晶片、MCU、超級結(Super Junction)MOSFET和IGBT等晶片的市場需求十分旺盛,作為其支撐的嵌入式非易失性儲存器和功率器件等工藝技術,正是華虹巨集力最擅長的領域。回顧2018,這家全球領先的特色工藝純晶圓代工企業的表現堪稱強勢。

快速推進華虹無錫專案建設順利

早在1999年,華虹NEC(華虹巨集力由華虹NEC、上海巨集力合併而成)建成並運營中國第一條8英寸積體電路生產線,最初製造DRAM,後轉為專注於嵌入式非易失性儲存器、模擬及電源管理、高壓及射頻(RF)、功率器件等技術平臺的晶圓代工,這是華虹巨集力特色工藝的基礎,也作為主要業務延續至今。

隨著半導體產業發展,12英寸晶圓加工產線遍地開花,華虹也在加速佈局。2017年8月初,華虹與無錫市政府簽署戰略合作協議,隨後又得到國家積體電路產業投資基金(簡稱大基金)力挺。華虹無錫專案總投資100億美元,一期投資25億美元,在建一條工藝等級90~65/55納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝積體電路生產線,支援5G和物聯網等新興領域的應用,將是華虹巨集力產品線的重要補充。

目前,華虹無錫專案已完成主體結構工程,進入動力機電安裝階段,整體進展非常順利。預計2019年上半年完成淨化廠房建設和動力機電裝置安裝,下半年工藝裝置搬入、除錯並逐步實現達產。

華虹巨集力黨委書記、執行副總裁徐偉曾表示,無錫產線的定位是打造“超摩爾”定律的特色工藝平臺,瞄準5G通訊和物聯網等領域的終端應用,這和無錫本身的產業發展定位和走向非常契合。

近年來,無錫半導體產業發展迅速,特別在晶片設計、封測等領域,相信華虹無錫專案的落地會吸引和聚集更多產業鏈上下游企業。

特色工藝卓見成效,連續31個季度業績增長

華虹無錫專案建設火熱,華虹巨集力現有的三條8英寸生產線也維持著高光表現。

華虹巨集力擁有世界領先的嵌入式非易失性儲存器技術。公司有SONOS Flash和SuperFlash技術,以及eFlash+高壓和eFlash+射頻兩個衍生工藝平臺,技術節點涵蓋0.18微米到90納米。同時還可為客戶提供高效能、高密度的標準單元庫,並可根據不同需求為客戶定製高速度、低功耗、超低靜態功耗的嵌入式快閃記憶體IP、嵌入式電可擦可程式設計只讀儲存器(EEPROM)IP,可幫助客戶減小低功耗設計難度,搶佔市場先機,在智慧卡、MCU等領域廣受認可。

功率器件方面,華虹巨集力的第三代深溝槽超級結(Deep Trench Super Junction,DT-SJ)工藝平臺,保持了前幾代工藝流程緊湊的特點,而且還開發出了溝槽柵的新型結構,相比前兩代的平面柵結構,可以更有效地降低結電阻、導通電阻,且進一步縮小了元胞(cell pitch)面積。華虹巨集力還是全球首家提供場截止型IGBT量產技術的8英寸代工廠,並與多家合作單位陸續推出了650V、1200V、1700V等IGBT器件工藝。華虹巨集力在FS IGBT背面晶圓加工能力上尤為突出,是國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業,包括背面薄片、背面離子注入、背面鐳射退火、背面金屬、背面光刻。

此外,華虹巨集力還是中國出貨量最大的LED驅動IC代工廠,已引入全面電源管理IC解決方案,可提供久經驗證的CMOS模擬和更高整合度的BCD/CDMOS工藝平臺。其技術涵蓋1微米到0.13微米,電壓範圍覆蓋1.8V到700V,效能卓越、質量可靠,可廣泛應用於PMIC、快速充電(Fast Charge)、手機/平板電腦PMU以及智慧電錶等產品領域。

華虹巨集力的0.13微米RF SOI則可積極響應智慧手機出貨量的持續增長及未來5G蜂窩通訊的發展及應用。華虹巨集力還可提供一系列高效能且具備成本效益的射頻解決方案。

正是這些特色工藝的加持,使華虹巨集力業績不斷攀升,連續31個季度實現業績增長。11月8日,華虹半導體(港股股票代號:1347)公佈第三季度業績,公司銷售收入再創新高。財報顯示,公司所聚焦的細分市場都有強勁需求,尤其是MCU、超級結、IGBT和通用MOSFET領域。持續的高產能利用率和不斷優化的產品組合,讓市場對華虹半導體的未來表現充滿信心。

專利佈局放大招創新能力位列中國企業第四

11月,國家主席習-近平到張江科學城考察,他走進科學城展示廳,在一個個高技術展臺前仔細觀看。面對現場的科技工作者,他強調:“實現中華民族偉大復興時不我待,要進一步增強科技創新的緊迫性。你們現在做的事情,正是我們這個階段最重要最關鍵的,對實現‘兩個一百年’奮鬥目標、實現中華民族偉大復興意義重大。我們要把握機遇,創造更優質環境,優化要素配置,努力實現更多重大科技突破。黨中央支援你們。”華虹集團黨委書記、董事長張素心向習總書記彙報了上海積體電路產業創新發展、產業鏈能力建設以及華虹集團12英寸積體電路生產線最新進展。

毫無疑問,科技創新已成未來發展新引擎。華虹巨集力發揮了積極的行業引領作用,對中國積體電路產業的發展貢獻有目共睹。華虹巨集力始終堅持創新研發,科創碩果累累,尤其在專利管理方面頗有建樹,曾位列“中國企業發明專利授權量前十”。在不久前,中國人民大學經濟學院釋出了《中國企業創新能力百千萬排行榜》,華虹巨集力位列第四,創新實力再獲認可。

近來,一系列旨在強化智慧財產權保護的政策法規陸續出臺,積體電路企業也紛紛聚焦專利建設,華虹巨集力在這方面無疑已領先一步。

憑藉技術突破、產線推進、智慧財產權保護等全方位佈局,華虹巨集力在發展特色工藝的跑道上一路向前。未來,華虹巨集力仍將致力於研發、優化差異化技術,在物聯網、汽車電子、綠色能源、5G通訊等領域重點突進,為國內積體電路行業發展積極獻力,為全球客戶提供更具競爭力的晶圓代工解決方案。(校對/範蓉)

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