1、開關二極體是利用二極體的單向導電性，在半導體PN接面加上正向偏壓後，在導通狀態下，電阻很小（幾十到幾百歐）；加上反向偏壓後截止，其電阻很大（矽管在100MΩ以上）。利用開關二極體的這一特性，在電路中起到控制電流通過或關斷的作用，成為一個理想的電子開關。開關二極體的正向電阻很小，反向電阻很大，開關速度很快。

　　2、肖特基二極體則是利用金屬和半導體面接觸產生的勢壘（barrier）整流作用，這個接觸面稱為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極體，簡稱為肖特基二極體。現有肖特基二極體大多數是用矽（Si）半導體材料製作的。20世紀90年代以來，出現了用砷化鎵（GaAs）製作SBD。Si-SBD的特點是：正向壓降PN接面二極體的UDF低，僅為後者的1/2～1/3；trr約為10ns數量級；適用於低電壓（小於50V）的功率電子電路中（當電路電壓高於100V以上時，則要選用PIV高的SBD，其正向電阻將增大許多）。

　　肖特基二極體屬於大電流、低功耗、超高速半導體整流器件。它的特點是反向恢復時間很短，其值可小到幾納秒，而工作電流卻可達到兒千安培。

　　肖特基二極體在電路中主要是作整流二極體、續流二極體、保護二極體以及小訊號檢波，主要用在低電壓、大電流的電路中，如驅動器、開關電源、變頻器、逆變器等電路。對於點接觸型肖特基二極體，主要用於微波通訊電路。

　　另外，還有一種鋁矽肖特基二極體，除用於開關電路外，主要用於高頻電路中作檢波和鑑頻，代替2AP9等檢波二極體。如2S11的頻率可達(10的三次方)MHz，廣泛用於一般的電子產品。