Receiver

接收機包括四波段低噪聲放大器(LNAs)、射頻正交混頻器、片上通道濾波器、可程式設計增益放大器(PGA)和直流偏置校準(DCOC)環路.加法一次工廠AM校準程式提前，MT 6139的IIP 2可以達到至少50 dBm的所有波段。完全整合的通道濾波器可以消除干擾，阻塞訊號，不需要任何外部元件。

MT6139包括GSM 850(869 MHz-894 MHz)、GSM 900(925 MHz)四種差分LNAs-960 MHz)、DCS 1800(1805 MHz-1880 MHz)和PCS 1900(1930 MHz-1990 MHz)。差分輸入與使用LC網路的200聲表面波濾波器相匹配。對於37 dB的動態範圍控制，LNAs的增益可以控制在高或低的範圍內。跟隨LN就像正交射頻混頻器一樣，向下轉換射頻訊號到中頻.射頻混頻器的輸出不需要外部元件。

然後，通過通道濾波器和PGA對中頻訊號進行濾波和放大。為了控制接收機的增益，在濾波級之間實現多級PGA.2分貝增益PS，60分貝的PGA動態範圍確保了一個適當的訊號電平基帶(BB)設定要求。

Transmitter

發射機由BB I/Q濾波器、I/Q調製器、分頻器和緩衝放大器組成。BB I/Q訊號被輸入RC低通濾波器以降低帶外噪聲。I/Q調製器負責將BB I/Q訊號轉換為TX輸出頻率。為了避免拉扯問題，TX載波是通過將本振(LO)頻率從合成器中分離而產生的。分頻器由2分頻和4分頻兩部分組成。GSM 850/GSM 900和DCS 1800/PCS 1900應用電路。採用緩衝放大器將I/Q調製器輸出訊號放大到適當的電平，以滿足PA輸入功率的要求。

RF Frequency Synthesizer 

合成器系統描述

MT6139包括具有完全整合RFVCO的單個RF合成器，以產生用於Rx和TX的本地振盪器訊號。鎖相環將RFVCO鎖定在26 MHz的精確參考頻率上。為了減少分數-N合成器產生的固有雜散，採用具有抖動函式的三階σ-δ調製器產生預分頻器的除數N。

預分頻器由2除法器和多模除法器組成，可程式設計分頻器數目從32到127不等。一種傳統的帶電荷泵的數字pfd是u。用於鎖相環相位比較的SED。通過改變電荷泵的輸出電流，可以將鑑相器增益從50/2πA/rad程式設計到400/2πA/rad。

為了減少採集時間或為gprs等多時隙資料業務提供快速解決時間，我們在系統中實現了一個數字環路(校準環路)和一個快速採集系統。射頻合成器。在射頻合成器程式設計期間，通過數字校準環路將RFVCO預置到所需頻率附近。校準後，使用一段時間的快速捕獲系統，以便於快速鎖定.一旦採集完成，鎖相環將恢復正常工作模式。

Rx模式下的頻率合成器程式設計

用於rx模式的射頻合成器的頻率範圍是

並可按以下步驟確定除數

TX模式下的頻率合成器程式設計

用於tx模式的射頻合成器的頻率範圍是

並可按以下步驟確定除數N。

數字校準迴路

MT6139採用數字校準技術來減少PLL的穩定時間。一旦射頻合成器通過三線序列介面程式設計，校準迴路就被啟用.

校準迴路的主要功能是將RFVCO預置到期望的頻率附近，從而幫助PLL更快地穩定。由於初始頻率誤差的很大一部分是由inte處理的。光柵校準迴路，總鎖定時間可以大大限制在一個小範圍內，而不考慮所需的頻率。

快速採集系統

在數字校準迴路預置RFVCO後，射頻合成器恢復到鎖相環操作，並啟動快速採集系統。為了加快沉降速度，設定了電荷泵電流。在一段時間內比正常設定的電流高。一般為20秒或60秒。

Voltage Control Crystal Oscillator

電壓控制晶體振盪器(VCXO)由放大器、緩衝器和可程式設計電容陣列組成。放大器設計為與標準26 mhz晶體平行諧振。該緩衝器提供一個典型的600 mVpp電壓波動在26MHz。由0.047 pF到3 pF的0.047 pF的電容陣列用於調整由於晶體制造變化而產生的固定偏移量。提供微調功能的內部變容器與電容器陣列相結合。

Regulator

MT6139內建內部調節器，為收發器中的關鍵模組提供低噪聲、穩定、溫度和工藝獨立的電源電壓。在MT6139中有三個調整器，分別給VCO核心電路、Sigma-Delta調製器和VCXO電路.

第一個只有一個輸出的調節器被送至Sigma-Delta調製器.輸出電壓為2.0V。當電路被禁用時，通過內部P溝道MOSFET通過電晶體輸出為2.8 V而不是0 V。調整器的最大輸出電流為20 mA。

第二調節器的輸出輸入到VCO核心電路。電平為1.3V，最大輸出電流為30 mA。最後一個調節器的輸出輸入到VCXO電路。輸出電壓電平為2.2V，最大輸出電流為10 mA。校準者，[機]調整器，校準器，調節器，[化]調節劑，[無線]穩定器，調節基因，（鐘錶的）整時器，標準鍾。

內部P溝道MOSFET通過電晶體實現低漏(LDO)電壓小於150 mV在所有的調節器。除了一個饋送到Sigma-Delta調製器之外，還有一個外部的。電容器連線到噪聲旁路引腳，以降低調節器的輸出噪聲水平。

參考資料：