朱老師ARM裸機學習筆記（三）：CPU和與外部儲存器的介面
記憶體和外存的概念
記憶體
記憶體指 內部儲存器，執行程式的地方 RAM
外存
外存指 外部儲存器， 儲存資料或者檔案的地方 ROM
CPU連線記憶體和外存的方式
記憶體通過資料匯流排和地址匯流排直接和CPU 相連線。
好處 ： 訪問速度快，操作方式方便
壞處 ： 佔用CPU地址空間
外存通過CPU的外存控制器介面和CPU 相連線。
好處 ： 不佔用CPU I/O資源
壞處 ： 讀取速度較慢，訪問外存控制器的時序較為複雜。
SOC常用的外部儲存器型別
NOR Flash
最早出現的Flash儲存器，支援匯流排式訪問，程式碼可以直接在Nor中執行，CPU可以像訪問記憶體一樣訪問Nor Flash，在嵌入式發展到額初期階段常用於儲存啟動程式碼，例如s3c2440開發板的Nor Flash啟動。
Nand Flash
整合密度高，儲存空間較大，相對於Nor來說很便宜，讀取速度比Nor慢，寫入速度比Nor快，需要專門的讀寫電路。但是穩定性不如Nor，會出現壞塊，讀寫資料需要校驗。此外Nand Flash 還分為 SLC顆粒和MLC顆粒，詳細情況見後文。
SATA硬碟
改進版的Nand Flash
SD卡/TF卡/MMC卡
eMMC/iNand/moviNand
(Embedded Multi Media Card) MMC協會所訂立的、主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式儲存器標準規格。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標準介面並管理快閃記憶體。
iNAND是SanDisk公司研發的儲存晶片，可以簡單的看成SD卡或MMC卡晶片化。使用者完全可以預設他是SD卡或者MMC卡。
moviNand是三星公司研發的儲存晶片，功能類似於iNand。
OneNand
三星公司研發的結合Nor優點和Nand Flash 高容量儲存特點的Flash
eSSD
Embeded SSD 採用 MLC Nand Flash技術
此幾類Flash都是基於Nand Flash 的 都是在Nand Flash的基礎上加入讀寫控制電路以及檢驗和壞塊檢測電路等製成的。
Nand Flash的SLC 和MLC對比
SLC（Single-Level Cell ）單層單元快閃記憶體，每個單元儲存一位資料，一般而言，SLC雖然生產成本較高，但在效能上大幅勝於MLC。
MLC（Multi-Level Cell) 多層單元快閃記憶體，通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位資料，資料密度比較大。
A.讀寫速度較慢。相對主流SLC晶片，MLC晶片目前技術條件下，理論速度只能達到2MB左右，因此對於速度要求較高的應用會有一些問題。
B.MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
C.MLC理論寫入次數上限相對較少，因此在相同使用情況下，使用壽命比較SLC短。
D.MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
