快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN接面型結構，有的採用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通二極體（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從效能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。

　　肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體，簡稱肖特基二極體(SchottkyBarrierDiode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）（用這個方法可以判斷出該器件）、反向恢復時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。

　　這兩種管子通常用於開關電源。

　　那究竟肖特基二極體和快恢復二極體誰更優秀那：前者的恢復時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒。

　　前者的優點還有低功耗，大電流，超高速。

　　快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件.

　　肖特基二極體：反向耐壓值較低40V-50V，通態壓降0.3-0.6V，小於10nS的反向恢復時間。它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用矽或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN接面大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。

　　快恢復二極體：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件.