一、矽肖特基二極體的特點

　　矽肖特基二極體早已有之。它是一種金屬與半導體矽接觸的肖特基二極體，由於它的這種特殊結構，使其具有如下不同尋常的特性：

　　矽肖特基二極體比PN接面器件的行為特性更像一個理想的開關。肖特基二極體最重要的兩個效能指標就是它的低反向恢復電荷(Qrr)和它的恢復軟化係數。

　　低Qrr在二極體電壓換成反向偏置時，關閉過程所需時間，即反向恢復時間trr大大縮短。下表所列肖特基二極體trr小於0.01微妙。便於用於高頻範圍，有資料介紹其工作頻率可達1MHz(也有報道可達100GHz)。高軟化係數會減少二極體關閉所產生的EMI噪聲，降低換向操作干擾。

　　矽肖特基二極體還有一個比PN接面器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。

　　但矽肖特基二極體也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。

　　二、碳化矽半導體材料和用它製成的功率器件的特點

　　碳化矽SiC的能帶間隔為矽的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為矽的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是矽的3.3倍,為49w/cm.k。

　　它與矽半導體材料一樣，可以製成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極體。

　　其優點是：

　　(1)碳化矽單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比矽器件小100-300倍。由於有小的導通電阻，碳化矽功率器件的正向損耗小。

　　(2)碳化矽功率器件由於具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如，商用的矽肖特基的電壓小於300V，而第一個商用的碳化矽肖特基二極體的擊穿電壓已達到600V。

　　(3)碳化矽有高的熱導率，因此碳化矽功率器件有低的結到環境的熱阻。

　　(4)碳化矽器件可工作在高溫，碳化矽器件已有工作在600oC的報道，而矽器件的最大工作溫度僅為150oC.

　　(5)碳化矽具有很高的抗輻照能力。

　　(6)碳化矽功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。

　　(7)碳化矽器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化矽功率器件可工作在高頻(>20KHz)。

　　(8)碳化矽器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻。

　　碳化矽的不足是：

　　碳化矽圓片的價格還較高,其缺陷也多。

　　三、碳化矽肖特基二極體的特點

　　上面已談到矽肖特基二極體反向耐壓較低，約250V左右。對於能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化矽(SiC)製造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。

　　除此以外的器件引數均相當於或優於矽肖特基二極體。詳見表2。

　　由於SiC器件的成本較高(是同類矽器件的3～5倍)，除非效能上要求非用不可，還沒有用它來替代矽功率器件。