跟雙極性電晶體相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高於一定的值，就可以了。因此很多人忽視了mos管的驅動，今天就由電子元器件行業的領軍人物立深鑫電子跟大家談談關於mos管驅動的那些事。

　　在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

　　第二注意的是，普遍用於高階驅動的NMOS管，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高階驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統裡，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。

　　很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

　　上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域裡，但在12V汽車電子系統裡，一般4V導通就夠用了。