一、實驗專案名稱：RAM實驗

二、實驗目的：

瞭解半導體靜態隨機讀寫儲存器RAM的工作原理及其使用方法。

掌握半導體儲存器的字、位擴充套件技術。

三、實驗內容

◆採用1K x 4 的晶片，構成1K x 8的儲存器。

◆選擇五個不連續的存貯單元地址，分別存入不同內容，作單個存貯器單元的讀/寫操作實驗。

◆採用1K x 4 的晶片，構成2K x 4的儲存器。

◆必須使用譯碼器進行擴充套件（三輸入都用，接開關）。

◆選擇五個不連續的存貯單元地址，分別存入不同內容，作單個存貯器單元的讀/寫操作實驗。 

◆選用適當晶片，根據各種控制訊號的極性和時序要求，設計出實驗線路圖。

◆分別設計試驗步驟。

◆使用開關進行資料載入，通過指示燈顯示實驗結果，記錄試驗現象，寫出實驗報告。給出字擴充套件試驗中每片RAM晶片的地址範圍。

四、實驗器材（裝置、元器件）：

RAM採用兩片MM2114

隔離部件採用74LS125

譯碼器採用74LS138

備註：為簡化試驗，地址可只用低4位（其餘地址可接地）。

五、實驗資料記錄及結果分析：

基本的實驗方案：

第一部分：採用1K x 4 的晶片，構成1K x 8的儲存器。

設計線路：

字擴充套件的實驗操作：

1.初始化：

將k15（74LS125的C訊號）推至高電平，斷開開關輸入。

將k13（RAM片選訊號）推至低電平，選中RAM。

將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態，以防選地址過程中對沿路資料進行修改。

2.寫入資料：

將k0~k3的四個開關調至想要輸入的地址。

將k4~k11調整至想要的二進位制輸入值。

將k15（74LS125的C訊號）推至低電平，連線開關輸入。

將k14（讀寫控制）推至低電平寫入狀態，寫入資料。

3.讀取資料：

將k14（讀寫控制）推至高電平讀取狀態，斷開對RAM的寫入。

將k15（74LS125的C訊號）推至高電平，斷開開關對扽燈泡的影響，讀取資料。

第二部分：採用1K x 4 的晶片，構成2K x 4的儲存器。

設計線路：

位擴充套件的實驗操作：

1.初始化：

將k15（74LS125的C訊號）推至高電平，斷開開關輸入。

將k13（第一塊RAM片選訊號）推至低電平，選中RAM，

同時確保將k12（第二塊RAM片選訊號）推至高電平，使RAM失效。

將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態，以防選地址過程中對沿路資料進行修改。

2.寫入資料：

將k0~k3的四個開關調至想要輸入的地址。

將k4~k7調整至想要的二進位制輸入值。

將k15（74LS125的C訊號）推至低電平，連線開關輸入。

將k14（讀寫控制）推至低電平寫入狀態，寫入資料。

3.讀取資料：

將k14（讀寫控制）推至高電平讀取狀態，斷開對RAM的寫入。

將k15（74LS125的C訊號）推至高電平，斷開開關對燈泡的影響，讀取資料。