1TB UFS 3.0快閃記憶體跑分出爐 順序讀取達2.3GB/s

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根據數碼博主i冰宇宙的爆料，UFS 3.0快閃記憶體的AndroBench跑分現已曝光，順序讀取速度達到了2279.9MB/s，順序寫入速度達到了1801.1MB/s，達到了目前優質NVMe固態的速度。

具體如下圖：

據i冰宇宙微博面熟，這是一塊1TB版本的UFS 3.0快閃記憶體，讀取速度達到了2279.9MB/s，順序寫入速度達到了1801.1MB/s，隨機讀取146.4MB/s，隨機寫入137.5MB/s。

UFS3.0對比上一代的UFS2.1不僅頻寬更高，電壓也相較UFS 2.1更低，最大限度降低裝置功耗與發熱。UFS 3.0標準單通道上可達到11.6 Gbps，是UFS 2.1標準的兩倍，而雙通道設計可以最高達到23.2 Gbps的傳輸頻寬，UFS 3.0的工作電壓為2.5V，相較上一代2.7V到3.6V更低。

不出意外的話，三星將於明年2月在MWC 2019前後正式釋出開年旗艦Galaxy S10系列機型，國外知名爆料大神@evleaks在推特上送出了Galaxy S10的真機外形諜照。

Galaxy S10系列將搭載高通新一代旗艦處理器驍龍855晶片，該晶片基於7nm工藝打造，頻率或突破3GHz，同時也將提供Exynos版本，後置豎排三攝，5.8英寸曲屏版和6.44英寸曲屏版將搭載超聲波螢幕指紋識別，由總部位於中國臺灣的供應商GIS和歐菲光將承擔，執行基於Android 9 Pie的更加精簡的One UI介面。

除三款標準版外，有訊息稱三星計劃推出Galaxy S10 5G版本，也被稱為Galaxy 10週年特別版，螢幕升級為6.7英寸，前置雙攝像頭，後置四攝像頭，配備高達12GB記憶體和1TB儲存，這也將是該系列中最昂貴的一款。