DDR採用一個週期來回傳遞一次資料，因此傳輸在同時間加倍，因此就像工作在兩倍的工作頻率一樣。為了直觀，以等效的方式命名，因此命名為DDR 200 266 333 400。
DDR2儘管工作頻率沒有變化，資料傳輸位寬由DDR的2bit變為4bit，那麼同時間傳遞資料是DDR的兩倍，因此也用等效頻率命名，分別為DDR2 400 533 667 800。
DDR3記憶體也沒有增加工作頻率，繼續提升資料傳輸位寬變為8bit，為DDR2兩倍，因此也在同樣工作頻率下達到更高頻寬，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600記憶體工作頻率沒有區別，只是由於傳輸資料位寬倍增，導致頻寬的增加。而記憶體的真正工作頻率決定於延遲，DDR400與DDR2 800真實工作頻率相同，後者頻寬是前者一倍，延遲上一樣。如果是DDR400與DDR2 667，那後者雖然頻寬更大，不過其真實頻率反而低一些，延遲上略大。
另外，記憶體在升級發展過程中，其工作電壓一直在降低，因此在效能提升的同時，功耗也在逐漸變小。三者都不一樣，在記憶體上有一個小缺口，三種記憶體的小缺口都不在同一位置，因此只能插在對應的插槽上。不能相容。
DDR3記憶體具有以下優點：
1.更高的外部資料傳輸率
2.更先進的地址/命令與控制匯流排的拓樸架構
3.在保證效能的同時將能耗進一步降低
4.為了滿足上述要求，DDR3在DDR2的基礎上採用了以下新型設計：
5.8bit預取設計，DDR2為4bit預取，這樣DRAM核心的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz
6.採用點對點的拓樸架構，減輕地址/命令與控制匯流排的負擔
7.採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。