DRAM和NAND Flash合約價持續下跌，三星或大幅減少投資
據TrendForce旗下的DRAMeXchange釋出的最新報告顯示， 本應該是購物旺季的Q4，DRAM晶片和NAND Flash晶片的合約採購價均呈現疲軟的態勢，其中DRAM預估下滑5%或更多。
雖然DRAM的主要供應商的策略總是擺動不定，比如三星已經明確訊號要放緩增產投資，然而，隨著1X/1Y nm良率攀升加之需求未得到充分調動，反而使得供貨量從三季度開始增加不少。
DRAMeXchange甚至給出2019年的消極預測，DRAM價格會下滑15~20%之多，如果消費端觀望情緒高漲，更大的跌幅並非不可能。
至於NAND Flash，2018整年都是“下坡路”，Q4並未扭轉這樣的態勢。 有研究稱，目前64層3D TLC的良率高達90%，明年72層上線後會進一步壓榨NAND快閃記憶體的利潤空間。
DRAM增長趨勢或將放緩
今年1-8月，DRAM的均價不斷上揚，對此， 半導體調研機構IC Insights認為 ， DRAM的平均售價已達到頂峰 ，隨著DRAM市場的產能擴充和資本支出增長， 2019年DRAM市場的上升趨勢或將停止。
IC Insights指出，去年DRAM產業的資本支出增加81%，今年持續攀升40%，預計未來會出現供給過剩的情況 。但是與以往歷史記錄稍有不同的是，雖然DRAM產業的資本支出過高，但預期產能過剩的情況可能沒有以往嚴重。因為，目前各大儲存器大廠都在升級20nm製程，成本的增加意味著資本投入後的增加的產能比前幾代製程少。
不過，作為全球DRAM龍頭廠商，三星電子裝置解決方案部門總裁金奇南稍早接受韓國聯合通訊社採訪時表示，今年底前DRAM晶片需求不會發生重大變化，似乎對今年DRAM價格持穩深具信心。
三星將削減DRAM投資，砍至兩成以上
據日媒報道指出，因市場預期DRAM價格將在2019年之後呈現下跌趨勢，三星恐將採取更為保守的策略。 2019年，三星恐將減少在半導體裝置上的投資額，其中DRAM的投資額預估減少20%以上，而在NAND Flash上的投資仍將持續增加 。
根據《日本經濟新聞》 採訪業內5位分析師的看法，其中4位都認為三星2019年會下調半導體裝置投資，另外1位則認為三星會持續增加投資，其中增加的投資主要針對於晶圓代工業務，而儲存器的投資還是會減少。
除此之外，SK證券指出，三星2019年的半導體策略主要是重視DRAM的價格，以及NAND快閃記憶體的市佔率。為了避免獲利率較高的DRAM陷入極端供應過剩局面，三星將通過抑制投資，藉此舒緩2019年DRAM價格的下跌速度。
美光執行副總裁兼商務長 Sadana表示，當DRAM降價時，只要價格下滑情況跟得上因技術進展帶動成本降低的腳步，它肯定能為半導體業持續創造穩健市況。 價格下跌本身並不代表市場健康與否等狀況。
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