三星宣佈7nm LPP量產！基於EUV光刻技術、效能增加20%

摘要： 10月18日早間訊息，三星官方宣佈， 已經開始進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝晶片的量產工作。 據悉， 三星的7nm LPP採用EUV光刻 ，機器採購自荷蘭ASML（阿斯麥），型號為雙工件臺NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。 簡單來...

10月18日早間訊息，三星官方宣佈， 已經開始進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝晶片的量產工作。

據悉， 三星的7nm LPP採用EUV光刻 ，機器採購自荷蘭ASML（阿斯麥），型號為雙工件臺NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。

簡單來說，EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光矽片，而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長，並且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術使得使用單個光罩來建立矽晶圓層成為可能，而ArF可能需要多達4倍的光罩才能建立相同的晶片。也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%，為客戶能夠節省時間和成本。

三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術了。

技術指標上，對比10nm FinFET， 三星7nm LPP可實現面積能效（同樣複雜度為量綱）提升40%、 效能增加20%、功耗降低最多50%。

三星透露，基於EUV的7nm LPP成功量產為其推進3nm奠定了基礎、指明瞭道路。產能方面，主要在韓國華城的S3工廠，2020年前會在開一條新產線。

目前已知， 高通新一代的5G基帶會採用三星的7nm LPP工藝 ，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。

圖為三星EUV產線

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