半導體晶片高低溫測試執行說明

原標題：半導體晶片高低溫測試執行說明

半導體晶片高低溫測試裝置在半導體晶片測試中使用比較多，那麼，半導體晶片高低溫測試在執行中其有什麼特點呢？

鐳射器工作時，自身產生熱量，使鐳射器的溫度升高，根據半導體鐳射器的工作特性，波長會隨溫度改變發生漂移，使鐳射器發射功率發生改變，造成整個發射系統的不穩定，甚至使發射系統不能工作。可控式半導體鐳射器工作時，鐳射器會提供熱敏電阻溫度測量訊號，然後利用PWM脈寬調製技術實現鐳射器溫度控制。鐳射器溫度相對於電流和輸出功率成比例地變化。溫度自動控制電路如圖1所示。溫度探測電路採用熱敏電阻進行溫度採集，半導體晶片高低溫測試系統控制採用製冷加熱控溫技術、PID溫度補償、半導體制冷器作為控制終端來控制鐳射器溫度。

半導體晶片高低溫測試溫度檢測控制電路設計，鐳射器溫度檢測電路主要完成對鐳射器溫度的採集，將採集溫度的模擬量轉換為數字量，並對採集的資料進行儲存和處理。當前，12位以上的A/D轉換器的價格仍較昂貴，用V/F變換器來代替A/D轉換器，在要求速度不太高的場合是一種較好的選擇。從感測器來的毫伏級的電壓訊號經低溫漂運算放大器OP07放大到0～10V後加到V/F變換器LM331的輸入端，從頻率輸出端f0輸出的頻率訊號加到微控制器89C2051的輸入端T0上。根據解析度的要求利用軟體處理，得到A/D轉換的結果。

半導體晶片高低溫測試是用兩種不同半導體材料(P型和N型)組成P2N結，當P2N結中有直流電通過時，由於兩種材料中的電子和空穴在跨越P2N結移動過程中的熱效應(即帕爾帖效應)，就會使P2N結表現出製冷或制熱的效果，改變電流方向即可實現TEC的製冷或制熱，調節電流大小即可控制製冷量輸出。