“三足鼎立”的DRAM晶片市場是如何形成的？
在整個電子產業鏈中，儲存晶片扮演著至關重要的角色，它好比行軍打仗的糧草，也被譽為電子系統的“糧倉”。儲存晶片分為快閃記憶體和記憶體，快閃記憶體包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，記憶體主要為 DRAM，本文將主要給大家講解DRAM晶片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
多年未變的DRAM市場格局
DRAM記憶體主要用於電腦、手機和部分消費電子產品，據相關資料統計，2017年全球DRAM市場達568億美元，較2016年增長38.0%。目前DRAM市場被韓國三星、海力士和美國鎂光三家壟斷，佔據八成以上的份額，最巔峰的時候它們三家壟斷全球DRAM市場95%的市場份額。據OFweek電子工程網瞭解到，三星在DRAM市場稱霸多年，已連續多年霸佔市場第一，市場份額過半。
韓國的DRAM記憶體發展迅速，並佔領全球一半以上的市場，一方面得益於它們對這塊市場的重視和提前佈局，另一方面在於三星和海力士強大的技術支援。美國本來就是半導體的發源地，再難的技術也難不倒它們。曾經有段時間，臺灣的DRAM企業風起雲湧，試圖挑戰這三巨頭的地位，也出現了南亞、力晶、力積、珏創、晶豪等有一定影響力的企業，但終因這三家巨大的實力而無法撼動其地位。
2018年DRAM記憶體市場仍然有很大增長空間，最近三星公佈的第三季度財報顯示，DRAM記憶體為其帶來了豐厚的營收和利潤，今年除了電腦、手機等傳統需求，智慧電子產品和汽車是一個關鍵的驅動力。
造成DRAM市場“三足鼎立”的原因
一、技術難度高、研發週期長、投入大
儲存器產品有自身的特點，它的設計投入非常大，同時研發週期也很長，當然它的成本和售價也不低。DRAM晶片的研發難度很高，是典型的尖端科技產品。DRAM的技術難度在於隨著半導體制程的減小，電容器會受到直接穿隧電流的因素而難以微縮，且電容值也難增加。有專家預測，15nm是接近DRAM的物理極限，未來若想縮小線寬，只得開發新的材質。
隨著半導體制程的縮寫，DRAM晶片的研發週期增長了，以三星為例，它們正在研發的17nmDRAM預計明年進入量產階段，但16nmDRAM的研發最快量產時間也要達到2020年，製程提升後面的研發難度會越來越大。
DRAM技術的投入太大導致很多企業無法承受，動輒幾百億。據悉，三星曾投資近百億美金加大研發最新的DRAM技術。而國內的合肥長鑫與兆易創新聯合投入百億研發技術，這也讓很多企業望而卻步。
二、市場和工藝的更新週期太快
市場對DRAM晶片的需求也不是一成不變，從電腦到手機，再到汽車、消費電子，再到智慧產品等，DRAM市場的變化也讓中小企業步步為難。DRAM晶片從70nm到16nm，再到10nm等，由於薄膜厚度無法繼續縮減，靠縮減尺寸很難提升價效比，工藝上的創新才是當前進步的關鍵。
三、跨不過的“專利坑”
對於初創企業而言，專利一直是半導體領域越不過的坎。美光半導體和福建晉華就因為專利問題，雙方弄得不愉快。據悉，美光的多款自有品牌產品涉嫌侵害晉華專利，包含2TB 、500GB 的固態硬碟和相關侵權晶片。
三星和海力士在這個領域擁有很多的專利，三星早在上個世紀初開發出了全球第一個生產DRAM記憶體晶片的70奈米技術，當時已經為這個新技術申請了一項專利，如果想成為DRAM市場的巨頭，除了與它們合作，其它的辦法就是越過它們研發的專利，另闢蹊徑。
四、獨有工廠是這個市場的特點
三星、海力士和美光三家企業均擁有自己的DRAM記憶體晶片工廠，它們擁有自己的工藝。而對於很多中小型DRAM企業，沒有工廠，很難保證產品良率和價效比。如三星每個月是350萬片，假設投片沒有大幅度增加，則必須要靠工藝來維持年成長，SK海力士和美光的工藝工廠也均有自己的優勢。國內近年來也有很多企業建廠，但都是小批量，很難保證大產能的DRAM晶片的良率。
壟斷格局仍未改變
三家企業壟斷一直是這個行業的特點，正因如此，多年來DRAM晶片漲價不斷，這些企業賺翻了天，淨利潤高達50%以上，三星甚至達到了80%。對於很多中小企業而言，它們也想改變DRAM市場的格局，很多國家想過通過“反壟斷”改變行業現狀，但仍舊無濟於事。