儲存器晶片：專利數量懸殊，專利質量突圍？
一個是與中國臺灣企業合作的大陸新晉企業，一個是全球三大儲存器巨頭之一， 福建省晉華積體電路有限公司(下稱福建晉華)與美國美光之間的專利較量，正是我國儲存器晶片廠商在勁敵環伺下發展的一個縮影。
目前，在福建晉華向美國美光中國子公司提起的專利侵權訴訟中，福建晉華向福州市中級人民法院提出訴中禁令，要求美光立即停止侵犯涉案專利權行為，得到法院支援。這一“臨時禁令”可視為我國儲存器企業反擊晶片巨頭的階段性勝利，但業內人士認為，隨著傳統儲存器市場競爭進入訴訟多發期，我國企業要在有效防範風險的同時，贏得國際市場上的一席之地，還有很長的路。
日前，國家智慧財產權局專利局專利審查協作湖北中心釋出的《半導體儲存器產業智慧財產權分析評議報告》(下稱報告)同樣印證了這一觀點。報告顯示，隨著傳統儲存器技術趨於成熟，但產業進入訴訟高發期，而我國既沒有巨頭企業的專利授權，專利儲備又較為薄弱，存在較高的專利風險。
專利數量懸殊警惕訴訟高發
儲存器又名記憶體，是積體電路產業重要支柱之一。報告顯示，目前，半導體儲存器年產值超過1000億美元。易失性儲存器(即斷電後儲存資訊消失)以DRAM(動態隨機存取儲存器)為代表，非易失性儲存器以NAND FLASH(快閃記憶體)為代表，兩者份額佔儲存器產業90%以上，但長期以來，這一市場都被韓國三星、海力士和美國美光等國際巨頭所壟斷。
近年來，我國大力發展整合電產業產業，在國家相關政策的引導推動下，武漢、合肥、晉江三地積體電路產業園區重點發展儲存器，福建晉華正是代表企業之一。“大舉投資DRAM和NAND FLASH是我國儲存器廠商融入市場的必經之路。”國家智慧財產權局專利局專利審查協作湖北中心電學部元器件室主任王海濤釋出報告時表示，同時他也指出，傳統儲存器領域的全球專利趨勢由美日韓主導，近年來全球專利申請量持續走低，技術步入成熟期，產業進入訴訟高發期。我國目前大力投資發展DRAM和NAND FLASH，將面臨較高的專利訴訟風險。
以此次福建晉華與美光引發糾紛的DRAM為例，中國積體電路智慧財產權聯盟此前釋出的《積體電路專利態勢報告》顯示，在DRAM領域，全球公開的專利申請達14萬餘件，日本、美國、韓國申請量位居全球前列，佔比達76%，中國的DRAM產業技術基礎薄弱，相關專利申請量很少，佔比僅為4%。
合享匯智資訊科技集團有限公司高階專利分析師饒小平經檢索發現，美光在全球申請了近4萬件專利，而且在美國、日本、韓國、中國及歐洲等多個國家和地區都有相當數量的佈局。相比之下，福建晉華作為大陸新晉廠商，在其擁有的60多件專利中，一部分是與中國臺灣企業聯華電子共同申請的專利，一部分是受讓於聯華電子的專利。“雖然專利侵權的可能性並不能簡單地從數量上去衡量，單獨一件高價值專利仍可能成為專利訴訟的有力武器，但專利戰一旦開打，雙方手中的專利儲備情況也會影響後續的談判走向，在這方面福建晉華並沒有優勢。”集慧智佳智慧財產權諮詢公司諮詢師王希波在接受記者採訪時表示。
報告顯示，除了巨頭企業外，退市廠商也持有大量有效專利，我國企業應注意防範來自國際巨頭企業、退市廠商以及NPE(非專利實施主體)三方的專利訴訟風險。所幸的是，隨著近年來國記憶體儲器廠商的快速發展，研發投入逐步加大，部分企業的專利申請也實現快速增長。饒小平介紹，設計企業兆易創新截至目前提交了656件專利申請，製造企業長江儲存提交了1116件專利申請，尤其2017年呈爆發式增長。
專利質量提升有待多措並舉
在國際巨頭的先發優勢面前，我國儲存器企業專利儲備不足已是不爭的事實。對此，多位業內人士認為，有針對性地制定專利策略，提升專利質量，完善專利佈局，或能為我國儲存器企業爭得一席之地。
報告顯示，隨著資訊產業對儲存器提出新的需求，目前全球儲存巨頭都在加大對相變、磁阻、阻變等新型儲存器的研發投入，未來磁阻儲存器可能替代DRAM，阻變儲存器、相變儲存器可能替代NAND FLASH。對此，報告建議，我國企業對於傳統DRAM和NAND FLASH儲存器應採取“防守進攻”的專利策略，對於新型儲存器採取“攻守兼備”的專利策略。在傳統儲存器領域，可以通過尋求專利許可、收購已退市廠商核心專利等方式加大專利儲備，並針對性地重點佈局垂直電晶體、高K電容、蜂巢電容等40nm以下工藝中的核心專利，基於下一代DDR發展方向重點佈局降低功耗技術，基於三維TSV架構以及2.5D/3D架構高頻寬的DRAM產品標準佈局專利。在新型儲存器領域，國內外差距相對較小，我國也已經開始嘗試“儲存器製造廠 研發型科技機構”模式，但還應基於新型儲存器技術路線中的關鍵技術加大專利佈局搶佔核心節點，以增強產業控制力。
目前長江儲存研發製造了3D DRAM，處於國內領先的位置，然而離大規模應用還有一定距離。兆易創新則主要還是小市場容量的NOR FLASH儲存器。饒小平認為，國內具備一定研發實力的企業應著眼於大市場容量儲存器的研發。同時，設計、製造、封裝等產業鏈上各類企業應聯合起來共同研發，共同推進國記憶體儲器產業的發展。此外，國內企業要進一步提升智慧財產權意識，既要加大研發投入和專利佈局，對於比較重要的技術，應向國外申請專利，讓中國自主創新的技術同時在歐美日等消費市場大國進行專利保護，也要重視專利分析與預警，為企業創新發展保駕護航。