三星宣佈已開發首款10奈米級第三代超高效能和高功效DRAM

北京時間3月21日訊息，全球領先的高階儲存技術公司三星電子有限公司（Samsung Electronics）今日宣佈，該公司在業界首次開發了第三代10奈米級（1z-nm）8GB超高效能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取儲存器）。

自開始大規模生產第二代10奈米級8GB DDR4以來，短短16個月內，三星電子在不使用Extreme Ultra-Violet（極紫外線光刻技術工藝，一種更復雜的晶片製造技術）處理的情況下開發10奈米級（1z-nm）8GB第三代DDR4， 意味著三星進一步提高了DRAM的擴充套件極限，在這一領域取得了領先地位。

隨著10奈米級成為業界最小的記憶體處理節點，三星現在已經準備好用其新的10奈米級（1z-nm）DDR4-DRAM來滿足日益增長的市場需求，其生產效率比以前的1Y奈米級版本高20%以上。

據悉， 10奈米級（1z-nm）8GB第三代DDR4的批量生產將於今年下半年開始 ，以適應下一代企業伺服器和有望在2020年推出的高階PC。

三星電子DRAM產品與技術執行副總裁李榮培（Jung Bae Lee）表示：“我們致力於突破技術領域的最大挑戰，推動實現更大的創新。很高興能再次為下一代DRAM的穩定生產奠定基礎，確保效能和能源效率的最大化。隨著我們推出10奈米級（1z-nm）的DRAM系列產品，三星將繼續致力於支援其全球客戶部署尖端系統，並推動高階記憶體市場的增長。”

三星開發的10奈米級（1z-nm）DRAM為全球IT加快朝著下一代DRAM介面（如DDR5、LPDDR5和GDDR6）過渡鋪平了道路，這些介面將推動未來的數字創新。接下來那些具有更高容量和效能的10奈米級（1z-nm）產品將增強三星在市場的業務競爭力，鞏固其在高階DRAM市場應用的領導地位，包括伺服器、圖形和移動裝置等領域。

據報道，在與一家CPU製造商就8GB DDR4模組進行全面驗證後，三星將積極與全球客戶合作，向其提供一系列即將面世的記憶體解決方案。為了滿足目前的行業需求，三星計劃在其Pyeongtaek網站增加主要記憶體生產的比重，同時與全球IT客戶合作，以滿足市場對最先進DRAM產品日益增長的需求。