三星開發出第3代10nm級DDR4記憶體：匯入EUV技術、下半年量產

3月21日，三星電子宣佈開發出業內首款基於第三代10nm級工藝的DRAM記憶體晶片，將服務於高階應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4記憶體晶片僅過去16個月。

第三代10nm級工藝即1z nm（在記憶體製造中，用x/y/z指代際，工藝區間是10~20nm）， 整合了EUV極紫外光刻技術，單晶片容量8Gb(1GB) 。

三星表示，1z nm是業內目前最頂尖的工藝， 生產效率較1y nm提升了20% ，可以更好地滿足日益增長的市場需求。

量產時間敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標領域是下一代企業級伺服器和2020年的高階PC產品。

三星還表示，將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM晶片的產能，同時上述先進技術還將應用於未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產品上。

不過，就在昨天（3月20日），三星電子聯席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出，由於智慧機市場增長乏力，資料中心公司削減投資，公司的儲存晶片等零部件業務預計將面臨艱難一年。