三星第三代10nm級記憶體公佈：下半年量產

三星電子宣佈開發出業內首款基於第三代10nm級工藝的DRAM記憶體晶片，在業界內首次達到了這個成績，此時距離三星大規模生產第二代10nm級8GB DDR4 DRAM晶片僅僅過去了16個月。

根據三星給出的資訊，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm級，相比此前的1y-nm在生產效率上有了20%的提升，可以更好地滿足現在日益增長的市場對記憶體晶片的需求，而且工藝的進步也會帶來效能的提升，同樣的儲存體積下，1z-nm能帶來更加優秀的耗電情況和執行效率。

圖源leikeji

三星電子已經明確表示會在今年下半年實現量產，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標領域是下一代企業級伺服器和2020年的高階PC產品。

本文來源：中關村線上 責任編輯：陳功_NT3893