三星推出符合HBM2E規範的Flashbolt記憶體 可用於GPU
摘要：
三星推出了業界首款符合HBM2E規範的記憶體。該公司新的Flashbolt儲存器堆疊將效能提高了33%，並提供每個晶片雙倍容量以及每個封裝的雙倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，這是一個合適的場合，因為NVIDIA因其廣受歡迎的GV100處理器而成為HBM2記憶體最大...
三星推出了業界首款符合HBM2E規範的記憶體。該公司新的Flashbolt儲存器堆疊將效能提高了33%，並提供每個晶片雙倍容量以及每個封裝的雙倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，這是一個合適的場合，因為NVIDIA因其廣受歡迎的GV100處理器而成為HBM2記憶體最大的使用者之一。
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三星的Flashbolt KGSD基於八個16-Gb儲存器晶片，這些晶片使用TSV（通過矽通孔）以8-Hi堆疊配置互連。每個Flashbolt封裝都具有1024位匯流排，每個引腳的資料傳輸速率為3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高達410GB/s的頻寬。
三星將其Flashbolt KGSD定位瞄準下一代資料中心，HPC，AI/ML和圖形應用程式。通過使用具有4096位儲存器介面的處理器的四個Flashbolt堆疊，開發人員可以獲得具有1.64TB/s峰值頻寬的64GB記憶體，這對於容量和頻寬需求大的晶片來說將是一個很大的優勢。使用兩個KGSD，它們可獲得32GB的DRAM，峰值頻寬為820GB/s。三星表示自己尚未開始批量生產Flashbolt HBM2E記憶體，但是已完成該技術的開發。
