由於需求減少：三星計劃減少記憶體晶片產量增幅

新浪科技訊 北京時間9月21日上午訊息，據彭博社援引知情人士訊息稱，鑑於預期需求放緩，三星電子明年計劃減少記憶體晶片產量增幅，以確保供應緊縮。

這家全球最大的NAND以及DRAM晶片製造商預測，DRAM記憶體的產量位元增長率（bit growth）將低於20%，而NAND快閃記憶體的位元增長率將為30%。

位元增長率指的是記憶體的產量，這對衡量需求至關重要。

三星與SK Hynix、Micron Technology一同控制著DRAM以及NAND快閃記憶體晶片市場，今年早些時候三星預測2018年DRAM記憶體和NAND快閃記憶體的位元增長率分別為20%和40%。

三星尚未對此訊息置評。

晶片裝置製造商KLA-Tencor Corp本月曾警告晶片銷量將迎來“旱災”，這引發了大眾對此的憂慮，晶片行業長達兩年的超級週期也許將中止。

“很多人都擔心週期達到峰值，因而減少供應可以支撐定價。 蘋果 已經減少需求，NAND的供應量過多，且SSD也未能按照預計的速度增加銷量。”Elazar Advisors的分析師哈依姆·西格爾（Chaim Siegel）說道。

在第四季度財報公佈之前，Rival Micron股價上漲了3%。Western Digital以及 Seagate Technology的股價分別上漲1%和2%。

“這些訊息當然會給像Micron以及Western Digital這樣的記憶體公司帶來短期利好。”Summit Insights Group分析師Kinngai Chan說道。

“但是，我們還需要關注未來幾個季度內DRAM以及NAND的價格下調比例。”(堆堆)