Intel：7nm、5nm、3nm都會有的！

3月28日，Intel在京舉辦一年一度的媒體紛享會，全景介紹了Intel面向未來的公司戰略，技術和產品方面也披露了不少幹活，比如大家非常關心的製程工藝。

製程工藝、封裝技術被Intel視為公司發展的六大戰略支柱之一，甚至可以說最基礎的之首，一直在不遺餘力地推進。

10nm工藝目前的良品率已經提高到滿意水平，今年底開始就會進入各個領域，包括消費級筆記本的Ice Lake、3D封裝的Lakefiled、資料中心的Ice Lake、5G行動通訊的Snow Ridge。

面相未來，Intel也一直有清晰的路線圖。 Intel中國研究院院長宋繼強在演講中就明確列出了7nm、5nm、3nm工藝，而為了實現這些高階工藝，Intel認為需要在材料、技術等各方面尋求全新的突破，包括III-V電晶體、3D堆疊、材料合成、2D材料、奈米線電晶體、EUV圖案成型、密集互聯、密集記憶體等等。

Intel提出了從以電晶體為中心向以資料為中心轉型的大方向，宋繼強院長也強調，單純依靠電晶體縮微來發展是不現實的，必須多元化多方位入手，尤其是強化架構革新。

至於7/5/3nm工藝何時實現，眼下當然不會有明確的時間表。 宋院長在接受快科技採訪的時候表示，新工藝的更新步伐會減慢，但是摩爾定律的經濟效益會繼續存在，因為摩爾定律不僅僅是關於電晶體密度的增加，也包含了單位成本的降低。