海力士擴張無錫工廠DRAM生產線 晶片產能提高至18萬

摘要： 【CNMO新聞】SK海力士4月18日在無錫舉行DRAM流水線C2F的竣工儀式，儀式上宣佈在原有DRAM半導體流水線C2的基礎上進行擴建，擴建後，建築面積將達到5.8萬平方米。竣工儀式上，無錫市委書記李小敏、江蘇省副省長郭元強、韓國駐上海總領事崔泳杉、SK海力士公司總裁李錫熙和合作商總裁等50...

【CNMO新聞】SK海力士4月18日在無錫舉行DRAM流水線C2F的竣工儀式，儀式上宣佈在原有DRAM半導體流水線C2的基礎上進行擴建，擴建後，建築面積將達到5.8萬平方米。竣工儀式上，無錫市委書記李小敏、江蘇省副省長郭元強、韓國駐上海總領事崔泳杉、SK海力士公司總裁李錫熙和合作商總裁等500人出席了活動。

圖片來自海力士

2004年SK海力士與無錫市簽署建廠協議，並於2006年開始生產DRAM，當時建成的C2流水線是SK海力士第一個300毫米晶片工廠(FAB是半導體工廠的通稱)，為SK海力士的後續發展起到了重大作用。從2017年6月開始，SK海力士投資擴建半導體生產廠房(無塵車間)。

圖片來自海力士

SK海力士無錫工廠負責人姜英秀表示：“C2F的竣工使無錫工廠擁有了中長期競爭力，C2F將與現在的C2工廠一同運轉，最大限度擴大無錫工廠的生產和運轉效率”。業內人士表示：“這次擴建後無錫工廠的DRAM產能從原來的12萬張晶片提高到了18萬張，產能佔SK海力士DRAM總產能的比例提高到40至50%。”