投資數十億美元，英特爾要用EUV造7nm晶片
摘要：
英特爾正準備在D1X 工廠加大對7nm EUV光刻工藝的研發，這座工廠位於美國俄勒岡州，晶圓廠擴建通常需要數十億美元，而EUV光刻的大規模採用預計會增加額外成本。
英特爾目前正在努力完善一種稱為極紫外光刻（EUV）的新制造工藝，這將使微晶片能夠在寬度小於0.1微米的電路線上進行蝕刻，使其比...
英特爾正準備在D1X 工廠加大對7nm EUV光刻工藝的研發，這座工廠位於美國俄勒岡州，晶圓廠擴建通常需要數十億美元，而EUV光刻的大規模採用預計會增加額外成本。
英特爾目前正在努力完善一種稱為極紫外光刻（EUV）的新制造工藝，這將使微晶片能夠在寬度小於0.1微米的電路線上進行蝕刻，使其比現在的晶片強大100倍。使用該技術構建的儲存器晶片將能夠儲存比現在多1000倍的資訊，該工藝將用於構建其新一代7nm晶片。英特爾此前曾表示，計劃在其完善其10nm晶片後立即開始研發7nm工藝。
D1X工廠 （圖片來源：英特爾）
競爭對手晶片製造商Advanced Micro Devices公司已經完善了自己的7nm工藝，英特爾面臨著加速發展的壓力，月初，CES消費電子展上宣佈推出首款Radeon VII晶片。英特爾表示D1X將有助於其更快地響應市場，將供應時間縮短約60％。雖然英特爾的行政總部位於矽谷，但D1X是英特爾的主要研發中心，在該中心設計其新一代計算晶片技術。
英特爾已告知其承包商預計合同週期為18個月，隨後開始數月的額外裝置安裝，容量擴建相當大，預計最早的開放日期將是2021年中期。
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