不拼7nm工藝了，GF推首個300mm矽鍺晶圓，晶振頻率高達370GHz

8月底Globalfoundries（格羅方德，簡稱GF）公司宣佈放棄7nm及節點工藝研發，專注目前的14/12nm FinFET及22/12FDX工藝。這一變化導致AMD將7nm工藝的CPU、GPU晶片訂單全部交給臺積電代工，另一家公司IBM也選擇臺積電代工未來的Power處理器。GF放棄7nm工藝雖然讓他們無法參與未來高效能CPU/GPU競賽，不過對GF自己來說這次可以說甩掉了負擔，現在他們專注更賺錢的RF射頻晶片業務了，上週GF宣佈推出業界首個300mm矽鍺晶圓工藝，該技術提供出色的低電流/高頻率效能，改善了異質結雙極電晶體(HBT)效能，與之前的矽鍺 8XP和8HP相比，最大振盪頻率(Fmax)提高了35％，達到370GHz。

矽鍺晶圓是一種特殊的半導體工藝，傳統半導體是矽基晶圓為主，不過金屬鍺具備優秀的電氣效能，成本與矽晶圓相當，比砷化鎵工藝更低，在FR射頻晶片中使用較多，該技術是IBM發明的，但GF公司收購了IBM的晶圓業務，繼承了IBM在矽鍺晶圓技術上的衣缽併發揚光大，這次推出的300mm矽鍺晶圓就是業界首次，因為之前的矽鍺晶圓主要使用200mm晶圓。

該工藝被稱為9Hp（一種90nm矽鍺工藝），相比目前的8XP/8HP使用的130nm工藝，9Hp工藝還提升到了90nm水平，其生產工廠遷移至紐約州東菲什基爾的格芯Fab 10工廠以實現300mm晶圓生產技術。

GF的9HP延續了成熟的高效能矽鍺BiCMOS技術的優勢，支援微波和毫米波頻率應用高資料速率的大幅增長，適用於下一代無線網路和通訊基礎設施，如TB級光纖網路、5G毫米波和衛星通訊(SATCOM)以及儀器儀表和防禦系統。該技術提供出色的低電流/高頻率效能，改善了異質結雙極電晶體(HBT)效能，與之前的矽鍺 8XP和8HP相比，最大振盪頻率(Fmax)提高了35％，達到370GHz。

在紐約東菲什基爾的Fab 10工廠，正在進行基於多專案晶圓(MPW)的9HP 300mm工藝客戶原型設計，預計2019年第二季度將提供合格的工藝和設計套件。

在退出7nm高效能工藝節點研發之後，RF射頻晶片相關的業務已經稱為GF公司的重點。