儲存產業需求隨摩爾定律放緩，價格持續上漲
儲存晶片市場在經過長達一年半時間的猛漲後，部分記憶體晶片的價格突然下跌，加之韓國三星電子近期釋出的令人失望的2017年盈利報告，導致那些押注晶片繁榮的投資者感到極度不安。有訊息顯示，晶片市場目前已開始喪失部分動能，廣泛應用於智慧手機的高階快閃記憶體晶片的價格在2017年第四季度下跌了近5%，NAND快閃記憶體價格由漲轉跌。
2018年記憶體芯片價格持續居高不下，有報告顯示，2018年第三季度和第四季度NAND快閃記憶體的平均銷售價格預計將下降10%，其主要原因是因為市場需求不足，尤其是智慧手機旺季卻被滯銷，再加上最近英特爾14nm產能不足的訊息，導致了PC市場需求雪上加霜。
三大儲存器的價格大幅上漲
2017年，儲存器銷售額為歷年來最高點，超過1200億美元，佔全球半導體市場總值的30.1%。其主要原因，是DRAM和NAND Flash從2016年下半年起缺貨，從而引發的漲價。
1、DRAM平均售價同比上漲77%，銷售總值達720億美元，同比增長74%。
2、NAND Flash平均售價同比上漲38%，銷售總額達498億美元，同比增長44%。
3、NOR Flash銷售總額為43億美元。
由此看出，三大儲存器的價格大幅上漲導致全球儲存器總體市場增長58%，儲存器也首次超越歷年佔比最大的邏輯電路，成為全球半導體市場銷售額佔比最高的分支，在產業中佔據極為重要的地位。
儲存器市場的景氣大幅度攀升
受惠於全球智慧手機出貨量的增長以及電子資訊裝置記憶體搭載量的不斷攀升，從2016 年下半年起，全球儲存器市場：DRAM 和 NAND 快閃記憶體等，結束了連續 18 個月的低迷景象，無論是儲存器的出貨量還是銷售價格，都出現了大幅度的提升。據多家市場調研機構調查分析，這一輪儲存器市場的景氣延續至2017年和2018年上半年。
2016 年全球 DRAM 的銷售規模為454億美元;而Flash的銷售規模為319億美元，其中NAND Flash為312億美元，NOR Flash僅為7億美元左右。全球儲存器的市場規模為773億美元，比2015年減少7.3%。初步統計2017年儲存器市場規模達到853億美元，較2016年增長10.3%。到2021年可望擴大至1099億美元，2016～2021年年均增長率將達7.3%。
與此同時，儲存器的製造技術也顯著提升,全球三大 DRAM 廠商的製程技術從2X nm推進到1X nm，3D NAND快閃記憶體從48層提升至64層,ReRAM和MRAM越來越顯示出它們的應用前景。
儲存器產能有限，量價齊增
目前，三星、SK 海力士兩大韓系廠商在擴產腳步上是猛踩油門，包括三星在韓國平澤的P1廠房和Line 15生產線，以及SK海力士的M14生產線，與此同時，美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴產計劃，但產能的增加仍主要依靠兩大韓系廠商。
根據三家公司目前最新的建廠規模，2017年全球每季度晶片產能為1100K左右。到2018年，預計三星和SK海力士將會有接近20%左右的產能提升，美光的產能增量為10%，預計全球每季度晶片產能為1200K左右。
隨著工藝尺寸越來越小，DRAM良率無法得到有效控制，導致DRAM產能增速的放緩，與此同時，EUV光刻裝置年產能極其有限，這些問題使得DRAM工藝節點突破困難重重，各廠商工藝進度計劃也被迫一再推遲。再加上賣方主導DRAM市場和新型非易失性儲存器技術的出現，進一步造成了全球範圍內DRAM龍頭企業技術升級和擴產意願下降。
總的來說，DRAM擴產受困於技術瓶頸和國際大廠的壟斷，2018-2020年全球bit growth將繼續徘徊在20%左右的歷史低位水平。但是下游終端應用的市場需求將持續溫和上升，特別是終端品牌繼續向國產品牌集中，造成國產手機對於DRAM產品的需求出現區域性的增加，同時5G、雲端計算、IDC等將拉動伺服器應用大幅增長，隨著5G商用的節點越來越近，將帶動記憶體市場需求的加速提升。