開創快閃記憶體新紀錄！東芝披露96層堆疊QLC與128層3D TLC快閃記憶體

原標題：開創快閃記憶體新紀錄！東芝披露96層堆疊QLC與128層3D TLC快閃記憶體

不久前在舊金山舉辦的ISSCC國際固態電路會議上，東芝公開討論了新一代96層堆疊3D QLC快閃記憶體的細節，並介紹了未來128層堆疊技術下3D TLC快閃記憶體在改善功耗表現和提升儲存密度與讀寫速度方面的優勢。

東芝的96層堆疊BiCS4快閃記憶體擁有TLC和QLC兩種型別，後者的每個單元可以儲存4位元資料，位密度8.5Gb/ mm²，相比TLC型別的512Gb 3D TLC提升40%以上。

東芝還披露，96層3D QLC快閃記憶體器件的晶片尺寸為158.4 mm²，利用改進後的源極 - 偏置 - 負檢測方案，允許深負閾值電壓，同時保持低電源電壓。

針對QLC快閃記憶體的寫入效能衰減問題，東芝還優化了兩步寫入（Program）方法，使典型Page頁面程式設計寫入時間減少18%，大幅提升了快閃記憶體的寫入效能。

除了已經實現量產的96層堆疊BiCS4之外，東芝還討論了未來的128層堆疊3D NAND裝置（BiCS5）。TLC型別的BiCS5快閃記憶體能夠實現66 mm²晶片尺寸和7.8Gb/ mm²的位密度。BiCS5還將採用包括四平面陣列、多晶片峰值功率管理和4KB頁面讀取模式在內的三種關鍵技術，提升快閃記憶體效能、精細化控制功耗。

下圖是已經在BiCS3快閃記憶體當中應用的雙平面快閃記憶體陣列，128層堆疊的下一代快閃記憶體中將使用更多的四平面陣列，從而提高每位元密度的快閃記憶體效能。

多平面快閃記憶體可通過Multi Plane交錯，用分時傳輸/執行的方式執行交錯讀寫、交錯擦除，實現效能倍增。

東芝在1987年發明的NAND快閃記憶體正成為近年來儲存技術飛速發展的驅動力，大容量、高效能的NAND快閃記憶體將加速家用電腦固態儲存的普及。我們也將有機會用上更便宜、更好用的固態硬碟。