SK hynix 第二代 10nm 製程 DDR4 DRAM 開發完成，2019 年第一季量產

Samsung 總是走在前頭，SK hynix 與 Micron 在後追趕。

在 DDR4 仍為市場主流前提下，各動態隨機存取記憶體廠不斷提升半導體製程，以期帶來更高的獲利。SK hynix 甫宣佈，第二代 10nm 製程 DDR4 DRAM 完成開發，與先前技術相較可降低 1 5％ 耗電量。此外，生產率也獲得提高 20％ 的效益，同時更能讓時脈再往上推升。

植基於第二代 10nm 製程技術，當前所完成開發的 8Gbit 容量產品，最高時脈組態可達 DDR4-3200（3200Mbps），這達到了 JEDEC 所制定 DDR4 DRAM 規範最高時脈規格。新產品適用於桌上型電腦、行動平臺、伺服器等裝置，預定在 2019 年第一季開始量產，並將依市場需求調整產能佔比。