函數：

1.Flash_Compact_B

用於flash硬件檢測。檢測並校正flash裏的電荷損耗bit。該函數一次只校正一個sector。

2.Flash_Blank_B

用於驗證flash是否被正確擦除。每個bank單獨調用，不能同時用於多個bank。

1=region is blank；

0=region is no blank（讀取值為非0xFFFFFFFF）

3.Flash_Verify_B

驗證寫入的數據是否正確。

4.Flash_Verify_Data_B

驗證寫入的數據是否正確。

與Flash_Verify_B的區別是：指定了用於跟flash數據進行比對的buff裏的數據長度。

NOTE:

1.調用Flash_Erase_B,Flash_Sector_Erase_B,Flash_Start_Erase_B之前先調用Flash_Compact_B，Flash_Compact_B不會對現有數據有任何影響，僅校正有可能存在的電荷損耗現象（depletion）；

2.擦除過程中發生中斷可能會導致產生這樣的位：緊接著的Flash_Blank_B檢測為已擦除，但是未被完全擦除（完全充電）的位。

解決方法：通過調用Flash_Blank_B將status.Stat1傳給Flash_Erase_B來修正這樣的bit。1）若Flash_Blank_B返回值為TRUE，則status.Stat1 = 0x12345678，Flash_Erase_B將屏蔽預處理步驟（將所有的位置0），僅擦除和compact；

2）若Flash_Blank_B返回值為FALSE，則status.Stat1 = 0x00000000，Flash_Erase_B執行完整的過程（full erase）。

**由於Flash_Start_Erase_B和Flash_Erase_Sector_B沒有status參數，所以無法使用該功能。

結合以上兩點，我們可以得出這樣的結論：

1）每次擦除之前先調用Flash_Compact_B檢測硬件是否完好；

2）再調用Flash_Blank_B檢測是否為blank，如果是，就可以省去擦除預處理步驟以節省大量時間（使用FLASH_ERASE_B）；

不同的擦除流程比較

1.使用FLASH_ERASE_B函數

1）可擦除任意個sector；

2）從數據吞吐量的角度看令人滿意：被識別為blank的sector處理更快，但代碼復雜；

3）優點：能夠屏蔽預處理（屏蔽預處理能夠極大地提高blank sector的擦除速度）；

4）即使被識別為blank的塊也要再擦除一次，以避免Flash_Erase_B過程中產生的不合格的數據；（使用之前無論如何再擦一遍就是了）

**Flash_Erase_B是唯一一個記錄erase和compaction脈沖記數的函數。（有什麽用處呢？）

2.使用FLASH_ERASE_SECTOR_B函數

1）可擦除任意個sector；

2）從數據吞吐量的角度看令人不太滿意：所有的sector都執行了完整的擦除過程（full erase，包括預處理過程，相比FLASH_ERASE_B要慢）；

3）優點：代碼簡潔；

4）即使被識別為blank的塊也要再擦除一次，以避免Flash_Erase_Sector_B過程中產生的不合格的數據；（跟FLASH_ERASE_B一樣）

5）無相關脈沖記錄（相比於FLASH_ERASE_B）。

3.使用FLASH_START_ERASE_B和FLASH_STATUS_U16

1）可擦除任意個sector；

2）優點：多任務處理，狀態機在執行擦除操作的同時可以執行其他指令

3）使用之前無論如何再擦一遍！

4）無相關脈沖記錄（相比於FLASH_ERASE_B）。

寫入流程

1）對於用到的sector，每次寫入之前都要擦除；

2）管理要存入的數據。i.e.如果要存入的數據量大，需要跨bank存儲，那麽需要先對數據進行分割，並針對不同的bank單獨調用FLASH_PROG_B。

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