模型 -- 全面 mark 參考 size b2c 線路 都是

所謂的“共面”，即阻抗線和參考層在同一平面，即阻抗線被VCC/GND所包圍， 周圍的VCC/GND即為參考層。 相較於單端和差分阻抗模型，共面阻抗模型多了一個參數D1，即阻抗線和參 考層VCC/GND之間的間距。 在Palor Si9000中，下面紅色標註的工具欄圖標為coplanar模型組: 針對共面模型，下面只選幾種典型模型來進行說明，更詳細全面的內容 請參考同組筆記本下的"常見的阻抗模型---整理版"。 另外註意，此組模型都是wavegide模式。 1. Surface coplanar waveguide 1B
適用範圍:

外層蝕刻後單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍， 周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2) 為線路層，而非VCC/GND參考層。

參數說明:

H1:外層到次外層之間的介質厚度 W2:阻抗線上線寬 W1:阻抗線下線寬 D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距 T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚 Er1:介質層介電常數

2.Coated coplanar waveguide 1B
適用範圍:

阻焊後單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍， 周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2) 為線路層，而非VCC/GND參考層。

參數說明:

H1:外層到次外層之間的介質厚度 W2:阻抗線上線寬 W1:阻抗線下線寬 D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距 T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚 Er1:介質層介電常數 CEr1:阻焊介電常數 C1:基材阻焊厚度 C2:線面阻焊厚度(後加工)

3.Surface coplanar waveguide with ground 1B 適用範圍:

外層蝕刻後單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND 和次外層VCC/GND。

參數說明:

H1:外層到次外層VCC/GND之間的介質厚度 W2:阻抗線上線寬 W1:阻抗線下線寬 D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距 T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚 Er1:介質層介電常數

4.Edge-coupled Offset stripline 1B1A 適用範圍: 內層單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍，

周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2) 為線路層，而非VCC/GND參考層。

參數說明:

H1:阻抗線路層到下一層之間的介質厚度 H2:阻抗線路層到上一層之間的介質厚度 W2:阻抗線上線寬 W1:阻抗線下線寬 D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距 T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚 Er1:H1對應介質層介電常數 Er2:H2對應介質層介電常數

5.Embedded coplanar waveguide with ground 1B1A
適用範圍: 內層單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND 和次外層VCC/GND。 參數說明:

H1:阻抗線路層到臨近VCC/GND之間的介質厚度 H2:阻抗線路層到上一層之間的介質厚度 W2:阻抗線上線寬 W1:阻抗線下線寬 D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距 T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚 Er1:H1對應介質層介電常數 Er2:H2對應介質層介電常數

6. Offset coplanar waveguide 1B1A
適用範圍: 內層單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND 和及與其臨近的兩個VCC/GND層。 參數說明:

H1:阻抗線路層到臨近VCC/GND之間的介質厚度 H2:阻抗線路層到較遠VCC/GND之間的介質厚度 W2:阻抗線上線寬 W1:阻抗線下線寬 D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距 T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚 Er1:H1對應介質層介電常數 Er2:H2對應介質層介電常數

SI9000常用共面阻抗模型的解釋