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232/485電平,OC門,OD門,TTL電平,CMOS電平,

1.RS232電平

或者說串列埠電平,有的甚至說計算機電平,所有的這些說法,指得都是計算機9針串列埠 (RS232)的電平,採用負邏輯,

-15v~ -3v 代表1

+3v~ +15v 代表0

2.RS485電平 和 RS422電平

由於兩者均採用差分傳輸(平衡傳輸)的方式,所以它們的電平方式,一般有兩個引腳 A,B

傳送端 AB間的電壓差

+2 ~ +6v:1

-2 ~ -6v:0

接收端 AB間的電壓差

大於 +200mv  1

小於 -200mv  0

定義邏輯1為B>A的狀態;

定義邏輯0為A>B的狀態。

AB之間的電壓差不小於200mv。

3.USB

電源線是5V,為USB裝置提供最大500mA的電流,它與資料線上的電平無關,資料線是差分訊號,通常D+和D-在+400mV~-400mV間變化。

在傳統的單端(Single-ended)通訊中,一條線路來傳輸一個位元位。高電平為1,低電平為0.倘若在資料傳輸過程中受到干擾,高低電平訊號完全可能因此產生突破臨界值的大幅度擾動,一旦高電平或低電平訊號超出臨界值,訊號就會出錯。在差分傳輸電路中,輸出電平為正電壓時表示邏輯1,輸出負電壓時表示邏輯0,而輸出0電壓是沒有意義的,它既不代表1,也不代表0.而差分通訊中,干擾訊號會同時進入相鄰的兩條訊號線中,在訊號接收端,兩個相同的干擾訊號分別進入差分放大器的兩個反相輸入端後,輸出電壓為0.所以說,差分訊號技術對干擾訊號具有很強的免疫力。對於序列傳輸來說,LVDS能夠抵禦外來干擾;而對於並行傳輸來說,LVDS不僅可以能夠抵禦外來干擾,還能抵禦資料傳輸線之間的串擾。因為上述原因,實際電路中只要使用低壓差分訊號(Low Voltage Differential Signal, LVDS),350mV左右的振幅便能滿足近距離傳輸的要求。假定負載電阻為100歐,採用LVDS方式傳輸資料時,如果雙絞線長度為10m,傳輸速率可達400Mbps;當電纜長度增加到20m時,速率將為100Mbps;而當電纜長度為100m時,速率只能達到10Mbps左右

4.傳輸速率

一對一的接頭的情況下

RS232   可做到雙向傳輸,全雙工通訊  最高傳輸速率 20kbps;

RS422   只能做到單向傳輸,半雙工通訊,最高傳輸速率10Mbps;

RS485   雙向傳輸,半雙工通訊, 最高傳輸速率10Mbps;

USB可以自動選擇HS(High-speed,高速,480Mbps)、FS(Full-speed,全速,12Mbps)和LS(Low-speed,低速,1.5Mbps)三種模式中的一種。

RS-422/485和RS-232是串列埠的介面標準,RS-422/485是差分輸入輸出,RS-232是單端輸入輸出。

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常用的邏輯電平
 
  邏輯電平:有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL;RS232、RS422、LVDS等。
 其中TTL和CMOS的邏輯電平按典型電壓可分為四類:5V系列(5V TTL和5V CMOS)、3.3V系列,2.5V系列和1.8V系列。
 5V TTL和5V CMOS邏輯電平是通用的邏輯電平。
 3.3V及以下的邏輯電平被稱為低電壓邏輯電平,常用的為LVTTL電平。
 低電壓的邏輯電平還有2.5V和1.8V兩種。 

TTL:Transistor-Transistor Logic 三極體邏輯。

Vcc:5V;

VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;

VIH>=2V;VIL<=0.8V。

因為2.4V與5V之間還有很大空閒,對改善噪聲容限並沒什麼好處,又會白白增大系統功耗,還會影響速度。所以後來就把一部分“砍”掉了。也就是後面的LVTTL。

LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低電壓的LVTTL(Low Voltage TTL)。

3.3V LVTTL:

  Vcc:3.3V;

  VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;

  VIH>=2V;VIL<=0.8V。

2.5V LVTTL:

  Vcc:2.5V;

  VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;

  VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

更低的LVTTL不常用就先不講了。多用在處理器等高速晶片,使用時檢視晶片手冊就OK了。

TTL使用注意:TTL電平一般過沖都會比較嚴重,可能在始端串22歐或33歐電阻;TTL電平輸入腳懸空時是內部認為是高電平。要下拉的話應用1k以下電阻下拉。TTL輸出不能驅動CMOS輸入(要加上拉)。

CMOS:Complementary l OxideSemiconductor   PMOS+NMOS。

Vcc:5V;

  VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;

  VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。

相對TTL有了更大的噪聲容限,輸入阻抗遠大於TTL輸入阻抗。對應3.3V LVTTL,出現了LVCMOS,可以與3.3V的LVTTL直接相互驅動。

3.3V LVCMOS:

  Vcc:3.3V;

  VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;

  VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。

2.5V LVCMOS:

  Vcc:2.5V;

  VOH>=2V;VOL<=0.1V;

  VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

CMOS使用注意:CMOS結構內部寄生有可控矽結構,當輸入或輸入管腳高於VCC一定值(比如一些晶片是0.7V)時,電流足夠大的話,可能引起閂鎖效應,導致晶片的燒燬。

ECL:Emitter Coupled Logic 發射極耦合邏輯電路(差分結構)

  Vcc=0V;Vee:-5.2V;

  VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;

  VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。

速度快,驅動能力強,噪聲小,很容易達到幾百M的應用。但是功耗大,需要負電源。為簡化電源,出現了PECL(ECL結構,改用正電壓供電)和LVPECL。

PECL:Pseudo/Positive ECL

  Vcc=5V;

  VOH=4.12V;VOL=3.28V;

  VIH=3.78V;VIL=3.64V

LVPELC:Low Voltage PECL

Vcc=3.3V;

  VOH=2.42V;VOL=1.58V;

  VIH=2.06V;VIL=1.94V

ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同電平不能直接驅動。中間可用交流耦合、電阻網路或專用晶片進行轉換。以上三種均為射隨輸出結構,必須有電阻拉到一個直流偏置電壓。(如多用於時鐘的LVPECL:直流匹配時用130歐上拉,同時用82歐下拉;交流匹配時用82歐上拉,同時用130歐下拉。但兩種方式工作後直流電平都在1.95V左右。)

前面的電平標準擺幅都比較大,為降低電磁輻射,同時提高開關速度又推出LVDS電平標準。

LVDS:Low Voltage Differential Signaling

差分對輸入輸出,內部有一個恆流源3.5-4mA,在差分線上改變方向來表示0和1。通過外部的100歐匹配電阻(並在差分線上靠近接收端)轉換為±350mV的差分電平。

LVDS使用注意:可以達到600M以上,PCB要求較高,差分線要求嚴格等長,差最好不超過10mil(0.25mm)。100歐電阻離接收端距離不能超過500mil,最好控制在300mil以內。

TTL與CMOS區別

CMOS積體電路電源電壓可以在較大範圍內變化,因而對電源的要求不像TTL積體電路那樣嚴格。用TTL電平他們就可以相容

  TTL積體電路是電流控制器件。TTL大部分都採用5V電源。
  1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol
  Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V
  2.輸入高電平和輸入低電平
  Uih≥2.0V,Uil≤0.8V  
  CMOS
 CMOS電路是電壓控制器件,輸入電阻極大,對於干擾訊號十分敏感,因此不用的輸入端不應開路,接到地或者電源上。CMOS電路的優點是噪聲容限較寬,靜態功耗很小。
  1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol
  Uoh≈VCC,Uol≈GND
  2.輸入高電平Uoh和輸入低電平Uol
  Uih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC (VCC為電源電壓,GND為地)
  從上面可以看出:
  在同樣5V電源電壓情況下,COMS電路可以直接驅動TTL,因為CMOS的輸出高電平大於2.0V,輸出低電平小於0.8V;而TTL電路則不能直接驅動CMOS電路,TTL的輸出高電平為大於2.4V,如果落在2.4V~3.5V之間,則CMOS電路就不能檢測到高電平,低電平小於0.4V滿足要求,所以在TTL電路驅動COMS電路時需要加上拉電阻。如果出現不同電壓電源的情況,也可以通過上面的方法進行判斷(VOL要小於VIL,VOH要大於VIH,是指一個連線當中的)。
  如果電路中出現3.3V的COMS電路去驅動5V CMOS電路的情況,如3.3V微控制器去驅動74HC,這種情況有以下幾種方法解決,最簡單的就是直接將74HC換成74HCT(74系列的輸入輸出在下面有介紹)的晶片,因為3.3V CMOS 可以直接驅動5V的TTL電路;或者加電壓轉換晶片;還有就是把微控制器的I/O口設為開漏,然後加上拉電阻到5V,這種情況下得根據實際情況調整電阻的大小,以保證訊號的上升沿時間。


  
電平的上限和下限定義不一樣,CMOS具有更大的抗噪區域。

電流驅動能力不一樣,ttl一般提供25毫安的驅動能力,而CMOS一般在10毫安左右。

需要的電流輸入大小也不一樣,一般ttl需要2.5毫安左右,CMOS幾乎不需要電流輸入。

很多器件都是相容ttl和CMOS的,datasheet會有說明。如果不考慮速度和效能,一般器件可以互換。但是需要注意有時候負載效應可能引起電路工作不正常,因為有些ttl電路需要下一級的輸入阻抗作為負載才能正常工作。

 

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  TTL和CMOS電平
  1、TTL電平(什麼是TTL電平):
  輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8V,噪聲容限是0.4V。
 
  2、CMOS電平:
 1邏輯電平電壓接近於電源電壓,0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的噪聲容限。
 
  3、電平轉換電路:
  因為TTL和COMS的高低電平的值不一樣(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相連線時需要電平的轉換:就是用兩個電阻對電平分壓,沒有什麼高深的東西。
 
  4、OC門,即集電極開路閘電路,OD門,即漏極開路閘電路,必須外界上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載,所以又叫做驅動閘電路。
 
  5、TTL和COMS電路比較:
 1)TTL電路是電流控制器件,而CMOS電路是電壓控制器件。
 2)TTL電路的速度快,傳輸延遲時間短(5-10ns),但是功耗大。COMS電路的速度慢,傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。COMS電路本身的功耗與輸入訊號的脈衝頻率有關,頻率越高,晶片集越熱,這是正常現象。
 3)COMS電路的鎖定效應:
 COMS電路由於輸入太大的電流,內部的電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時,COMS的內部電流能達到40mA以上,很容易燒燬晶片。
 防禦措施: 1)在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過不超過規定電壓。
 2)晶片的電源輸入端加去耦電路,防止VDD端出現瞬間的高壓。
 3)在VDD和外電源之間加限流電阻,即使有大的電流也不讓它進去。
 4)當系統由幾個電源分別供電時,開關要按下列順序:開啟時,先開啟COMS路得電源,再開啟輸入訊號和負載的電源;關閉時,先關閉輸入訊號和負載的電源,再關閉COMS電路的電源。
 
  6、COMS電路的使用注意事項
  1)COMS電路時電壓控制器件,它的輸入總抗很大,對干擾訊號的捕捉能力很強。所以,不用的管腳不要懸空,要接上拉電阻或者下拉電阻,給它一個恆定的電平。
 2)輸入端接低內阻的訊號源時,要在輸入端和訊號源之間要串聯限流電阻,使輸入的電流限制在1mA之內。
 3)當接長訊號傳輸線時,在COMS電路端接匹配電阻。
 4)當輸入端接大電容時,應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。
 5)COMS的輸入電流超過1mA,就有可能燒壞COMS。
 
  7、TTL閘電路中輸入端負載特性(輸入端帶電阻特殊情況的處理):
  1)懸空時相當於輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。
 2)在閘電路輸入端串聯10K電阻後再輸入低電平,輸入端出呈現的是高電平而不是低電平。因為由TTL閘電路的輸入端負載特性可知,只有在輸入端接的串聯電阻小於910歐時,它輸入來的低電平訊號才能被閘電路識別出來,串聯電阻再大的話輸入端就一直呈現高電平。這個一定要注意。COMS閘電路就不用考慮這些了。
 
  8、TTL電路有集電極開路OC門,MOS管也有和集電極對應的漏極開路的OD門,它的輸出就叫做開漏輸出。OC門在截止時有漏電流輸出,那就是漏電流,為什麼有漏電流呢?那是因為當三極體截止的時候,它的基極電流約等於0,但是並不是真正的為0,經過三極體的集電極的電流也就不是真正的 0,而是約0。而這個就是漏電流。
  開漏輸出:OC門的輸出就是開漏輸出;OD門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流,但是不能向外輸出的電流。所以,為了能輸入和輸出電流,它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩衝/驅動器、電平轉換器以及滿足吸收大負載電流的需要。
 
  9、什麼叫做圖騰柱,它與開漏電路有什麼區別?
 TTL積體電路中,輸出有接上拉三極體的輸出叫做圖騰柱輸出,沒有的叫做OC門。因為TTL就是一個三級關,圖騰柱也就是兩個三級管推輓相連。所以推輓就是圖騰。一般圖騰式輸出,高電平400UA,低電平8MA
 
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  CMOS 器件不用的輸入端必須連到高電平或低電平, 這是因為 CMOS 是高輸入阻抗器件, 理想狀態是沒有輸入電流的. 如果不用的輸入引腳懸空, 很容易感應到干擾訊號, 影響晶片的邏輯執行, 甚至靜電積累永久性的擊穿這個輸入端, 造成晶片失效.
  另外, 只有 4000 系列的 CMOS 器件可以工作在15伏電源下,74HC, 74HCT 等都只能工作在 5伏電源下, 現在已經有工作在 3伏和 2.5伏電源下的 CMOS 邏輯電路晶片了.
 
  CMOS電平和TTL電平:
 CMOS邏輯電平範圍比較大,範圍在3~15V,比如4000系列當5V供電時,輸出在4.6以上為高電平,輸出在0.05V以下為低電平。輸入在3.5V以上為高電平,輸入在1.5V以下為低電平。
  而對於TTL晶片,供電範圍在0~5V,常見都是5V,如74系列5V供電,輸出在2.7V以上為高電平,輸出在 0.5V以下為低電平,輸入在2V以上為高電平,在0.8V以下為低電平。因此,CMOS電路與 TTL電路就有一個電平轉換的問題,使兩者電平域值能匹配。
  有關邏輯電平的一些概念 :
  要了解邏輯電平的內容,首先要知道以下幾個概念的含義:
 
  輸入高電平(Vih):保證邏輯閘的輸入為高電平時所允許的最小輸入高電平,當輸入電平高於Vih時,則認為輸入電平為高電平。
 輸入低電平(Vil):保證邏輯閘的輸入為低電平時所允許的最大輸入低電平,當輸入電平低於Vil時,則認為輸入電平為低電平。
 輸出高電平(Voh):保證邏輯閘的輸出為高電平時的輸出電平的最小值,邏輯閘的輸出為高電平時的電平值都必須大於此Voh。
 輸出低電平(Vol):保證邏輯閘的輸出為低電平時的輸出電平的最大值,邏輯閘的輸出為低電平時的電平值都必須小於此Vol。
 閥值電平(Vt):數位電路晶片都存在一個閾值電平,就是電路剛剛勉強能翻轉動作時的電平。它是一個界於Vil、Vih之間的電壓值,對於CMOS電路的閾值電平,基本上是二分之一的電源電壓值,但要保證穩定的輸出,則必須要求輸入高電平> Vih,輸入低電平<Vil,而如果輸入電平在閾值上下,也就是Vil~Vih這個區域,電路的輸出會處於不穩定狀態。
 對於一般的邏輯電平,以上引數的關係如下:
 Voh > Vih > Vt > Vil > Vol
 Ioh:邏輯閘輸出為高電平時的負載電流(為拉電流)。
 Iol:邏輯閘輸出為低電平時的負載電流(為灌電流)。
 Iih:邏輯閘輸入為高電平時的電流(為灌電流)。
 Iil:邏輯閘輸入為低電平時的電流(為拉電流)。
 
  閘電路輸出極在整合單元內不接負載電阻而直接引出作為輸出端,這種形式的門稱為開路門。開路的TTL、CMOS、ECL門分別稱為集電極開路(OC)、漏極開路(OD)、發射極開路(OE),使用時應審查是否接上拉電阻(OC、OD門)或下拉電阻(OE門),以及電阻阻值是否合適。對於集電極開路(OC)門,其上拉電阻阻值RL應滿足下面條件:
  (1):RL < (VCC-Voh)/(n*Ioh+m*Iih)
  (2):RL > (VCC-Vol)/(Iol+m*Iil)
  其中n:線與的開路門數;m:被驅動的輸入端數。
  
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  OC門,又稱集電極開路(漏極開路)與非門閘電路,Open Collector(Open Drain)。
  為什麼引入OC門?
  實際使用中,有時需要兩個或兩個以上與非門的輸出端連線在同一條導線上,將這些與非門上的資料(狀態電平)用同一條導線輸送出去。因此,需要一種新的與非閘電路--OC門來實現“線與邏輯”。
  OC門主要用於3個方面:
 
  實現與或非邏輯,用做電平轉換,用做驅動器。由於OC閘電路的輸出管的集電極懸空,使用時需外接一個上拉電阻Rp到電源VCC。OC門使用上拉電阻以輸出高電平,此外為了加大輸出引腳的驅動能力,上拉電阻阻值的選擇原則,從降低功耗及晶片的灌電流能力考慮應當足夠大;從確保足夠的驅動電流考慮應當足夠小。
 線與邏輯,即兩個輸出端(包括兩個以上)直接互連就可以實現“AND”的邏輯功能。在匯流排傳輸等實際應用中需要多個門的輸出端並聯連線使用,而一般 TTL門輸出端並不能直接並接使用,否則這些門的輸出管之間由於低阻抗形成很大的短路電流(灌電流),而燒壞器件。在硬體上,可用OC門或三態門(ST 門)來實現。 用OC門實現線與,應同時在輸出埠應加一個上拉電阻。
 三態門(ST門)主要用在應用於多個門輸出共享資料匯流排,為避免多個門輸出同時佔用資料匯流排,這些門的使能訊號(EN)中只允許有一個為有效電平(如高電平),由於三態門的輸出是推拉式的低阻輸出,且不需接上拉(負載)電阻,所以開關速度比OC門快,常用三態門作為輸出緩衝器。
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  什麼是OC、OD?
 集電極開路門(集電極開路 OC 或漏極開路 OD)
  Open-Drain是漏極開路輸出的意思,相當於集電極開路(Open-Collector)輸出,即TTL中的集電極開路(OC)輸出。一般用於線或、線與,也有的用於電流驅動。
  Open-Drain是對MOS管而言,Open-Collector是對雙極型管而言,在用法上沒啥區別。
  開漏形式的電路有以下幾個特點:
  a. 利用外部電路的驅動能力,減少IC內部的驅動。 或驅動比晶片電源電壓高的負載.
  b.可以將多個開漏輸出的Pin,連線到一條線上。通過一隻上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關係。這也是I2C,SMBus等匯流排判斷匯流排佔用狀態的原理。如果作為圖騰輸出必須接上拉電阻。接容性負載時,下降延是晶片內的電晶體,是有源驅動,速度較快;上升延是無源的外接電阻,速度慢。如果要求速度高電阻選擇要小,功耗會大。所以負載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。
  c. 可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。例如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。
  d. 開漏Pin不連線外部的上拉電阻,則只能輸出低電平。一般來說,開漏是用來連線不同電平的器件,匹配電平用的。
  正常的CMOS輸出級是上、下兩個管子,把上面的管子去掉就是OPEN-DRAIN了。這種輸出的主要目的有兩個:電平轉換和線與。
  由於漏級開路,所以後級電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣你就可以進行任意電平的轉換了。
  線與功能主要用於有多個電路對同一訊號進行拉低操作的場合,如果本電路不想拉低,就輸出高電平,因為OPEN-DRAIN上面的管子被拿掉,高電平是靠外接的上拉電阻實現的。(而正常的CMOS輸出級,如果出現一個輸出為高另外一個為低時,等於電源短路。)
  OPEN-DRAIN提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點,就是帶來上升沿的延時。因為上升沿是通過外接上拉無源電阻對負載充電,所以當電阻選擇小時延時就小,但功耗大;反之延時大功耗小。所以如果對延時有要求,則建議用下降沿輸出