編譯環境：我用的是(Keil)MDK4.7.2   

stm32庫版本：我用的是3.5.0

一、本文不對FLASH的基礎知識做詳細的介紹，不懂得地方請查閱有關資料。

對STM32 內部FLASH進行程式設計操作，需要遵循以下流程：

1、FLASH解鎖

2、清除相關標誌位

3、擦除FLASH(先擦除後寫入的原因是為了工業上製作方便，即物理實現方便)

4、寫入FLASH

5、鎖定FLASH

例項：

#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一頁為1K大小
#define WRITE_START_ADDR   ((uint32_t)0x08008000)//寫入的起始地址
#define WRITE_END_ADDR      ((uint32_t)0x0800C000)//結束地址
uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除計數，寫入地址
uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要寫入的資料
uint32_t NbrOfPage = 0x00;//記錄要擦除的頁數
volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成標誌*/
void main()
{
  /*解鎖FLASH*/
　FLASH_Unlock();
  /*計算需要擦除FLASH頁的個數 */
　NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
  /* 清除所有掛起標誌位 */
　FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);	
  /* 擦除FLASH 頁*/
　for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
　　  {
　　    FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
　　  }
  /* 寫入FLASH  */
　Address = WRITE_START_ADDR;
　while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
　　  {
　　    FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
　　    Address = Address + 4;
　　  }
  /* 鎖定FLASH  */
　FLASH_Lock();
}
 

二、FLASH 擦除（以及防止誤擦除程式程式碼）

1、擦除函式

FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要（）裡面的數是flash第xx頁中對應的任何一個地址！就是擦除xx頁全部內容！

2、防止誤擦除有用程式程式碼的方法

方法一：首先要計算程式程式碼有多少，把FLASH存取地址設定在程式程式碼以外的地方，這樣就不會破壞使用者程式。原則上從0x0800 0000 + 0x1000 以後的FLASH空間都可以作為儲存使用。如果程式碼量佔了 0x3000， 那麼儲存在 0x0800 0000+ 0x4000 以後的空間就不會破壞程式了。

方法二：先在程式中定義一個const 型別的常量陣列，並指定其儲存位置（方便找到寫入、讀取位置），這樣編譯器就會分配你指定的空間將常量陣列存入

const uint8_t table[10]__at(0x08000000) = {1,2,3,4};

MDK3.03A開始就支援關鍵字 __at() 。

需要加#include <absacc.h>

方法三：在程式中定義一個const 型別的常量陣列，無需指定其儲存位置。只要定義一個32位的變數儲存這個陣列的FLASH區地址就行。

uint32_t address;//STM32的地址是32位的
const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};
address = (uint32_t) imageBuffer;/*用強制型別轉換的方式，可以把FLASH中儲存的imageBuffer[1024]的地址讀到RAM中的變數address 裡，方便找到寫入、讀取位置*/
 

方法四：利用防寫的方式（沒研究明白）

三、FLASH寫入

FLASH的寫入地址必須是偶數（FLASH機制決定的FLASH寫入的時候只能是偶數地址寫入，必須寫入半字或字，也就是2個位元組或是4位元組的內容）

四、FLASH 讀取方法

*(uint32_t *)0x8000000;//讀一個字
*(uint8_t *)0x8000000;//讀一個位元組;
*(uint16_t *)0x8000000;//讀半字;  

舉例：

uint8_t data;
data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是讀取FLASH中地址0x8000000處的資料

五、幾個有用的子函式

/*
功能：向指定地址寫入資料
引數說明：addr 寫入的FLASH頁的首地址
          p    被寫入變數的地址（陣列中的必須是uint8_t型別，元素個數必須是偶數）
          Byte_Num 被寫入變數的位元組數（必須是偶數）
*/
　　void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
　　	uint32_t HalfWord;
　　	Byte_Num = Byte_Num/2;
　　	FLASH_Unlock();
　　	FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
　　	FLASH_ErasePage(addr);
　　	while(Byte_Num --)
　　	{
　　		HalfWord=*(p++);
　　		HalfWord|=*(p++)<<8;
　　		FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);
　　		addr += 2;
　　	}
　　	FLASH_Lock();
　　}
　　例：
　　uint8_t data[100];
　　FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);/*陣列data的資料被寫入FLASH中*/
/*
功能：從指定地址讀取資料
引數說明：addr 從FLASH中讀取的地址
          p    讀取後要存入變數的地址（陣列中的必須是uint8_t型別）
          Byte_Num 要讀出的位元組數
*/
　　void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
　　  while(Byte_Num--)
　　  {
　　   *(p++)=*((uint8_t*)addr++);
　　  }
　　}
　　例：
　　uint8_t data[101];
　　FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);/*FLASH中的資料被讀入陣列data中*/