儲存晶片下行趨勢確立，這次有多糟？
因為英特爾14奈米x86 CPU 產能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，加上3D NAND轉到96層及DRAM轉到19奈米以下製程工藝的產能增加，等等因素疊加造成明年記憶體DRAM和快閃記憶體NAND預計將會有3-5%的供過於求，價格下行趨勢確立，而將造成2019年整體儲存器晶片產業同比衰退5-9%及全球半導體產業同比衰退1-4%。但此次下行趨勢預計不超過18個月。
美光預估第四季度前景低於市場預期
美光預期第四季度銷售環比衰退2-6%，同比成長降速為16-22%(低於第三季度的38%同比成長)，並且低於市場預期近4%。雖然美光預期57-60%毛利，49%營業利益，44%的淨利率都與市場預期相同，但遠低於前兩季度的61%毛利，51-52%營業利益，49-51%的淨利率。美光認為第四季度銷售低於預期是因為英特爾14奈米x86 CPU 短缺可能持續到明年第一季度(我們認為英特爾應該是短暫將產能轉去幫蘋果三款新手機做XMM7560基頻晶片)而造成某些特定客戶開始清除因之前擔心漲價而多建的庫存，可能將持續數季度， 加上美國提高關稅的不利影響。而在產業下行趨勢拐點出現後，美光竟然提高2019年資本支出同比成長16%到105億美金，預計透過96層3D NAND快閃記憶體的技術演進將快閃記憶體產能位元成長率(bit growth)拉高到超過40%(高於產業平均的35-40%同比成長)。
供給過剩，價格下行趨勢確立
因為英特爾14奈米x86 CPU 產能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，但加上3D NAND快閃記憶體轉到96層及DRAM記憶體轉到19奈米以下製程工藝的產能增加，預估明年記憶體DRAM (23-25%供給vs. 20%需求)和快閃記憶體NAND(43-45% 供給vs. 40%需求)將會有3-5%的供過於求，價格下行趨勢確立，預期在未來12個月內，DRAM記憶體每位元現貨價格(bit price)同比將衰退超過20%，NAND快閃記憶體現貨價格同比將衰退超過40%，而將造成2019年整體儲存器晶片產業同比衰退5-9%及全球半導體產業同比衰退1-4%(但邏輯晶片將持續成長)。我們的預估是比儲存器產業研究機構DRAMeXchange對明年儲存器晶片產業5%的同比成長預估(DRAM 7% 同比成長，NAND同比零成長)來的悲觀許多，但DRAMeXchange最新出爐的報告也因近期供過於求，而下修今年第四季度的DRAM合約價格預期，從1-3%價格環比下跌下修到5%的價格下跌。
這次下行趨勢有多糟?
雖然儲存器價格下行趨勢確立，但我們預估此次下行趨勢應不超過18個月，英特爾14奈米x86 CPU 短缺狀況應會於明年中之前改善，10奈米x86 CPU應於明年下半年量產，AMD 7奈米x86 CPU， 7奈米挖礦機及智慧手機，5G手機等都將於明年出籠取代中低階機種及對儲存器半導體產生正面影響。因此我們預估大多數的內快閃記憶體儲存器半導體公司會面對營業利潤率從近50%的高檔下滑，但卻不至於步入虧損。
對中國產業的影響?
雖然主流DRAM和3D NAND的下跌對NOR，SLC (Single-Level Cell， 單層單元快閃記憶體) NAND都會造成不良的影響，但只要這次下行趨勢不超過18個月，主流儲存器晶片大廠不步入虧損，預期主流儲存器廠商不會將大量產能轉入利基型NOR和SLC NAND快閃記憶體市場而造成其價格崩跌。預計NOR和SLC NAND快閃記憶體領導廠商旺巨集，華邦，兆易創新，武漢新芯將持續將產品從價格及獲利下行的中、低密度NOR轉為價格及獲利較好的高密度NOR和SLCNAND，而讓相關廠商同比獲利衰退幅度相對較小。但此下行趨勢對明年即將量產的中國主流儲存器晶片大廠長江儲存(3DNAND)， 合肥長鑫(Mobile DRAM)，福建晉華(NicheDRAM)當然是雪上加霜。