1、溝道

　　上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通後是電阻特性，因此它的一個重要引數就是導通電阻，選用mos管必須清楚這個引數是否符合需求。

　　2、n型

　　上圖表示的是p型MOS管，讀者可以依據此圖理解n型的，都是反過來即可。因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會導致導通，而p型的相反。

　　3、增強型

　　相對於耗盡型，增強型是通過“加厚”導電溝道的厚度來導通，如圖。柵極電壓越低，則p型源、漏極的正離子就越靠近中間，n襯底的負離子就越遠離柵極，柵極電壓達到一個值，叫閥值或坎壓時，由p型遊離出來的正離子連在一起，形成通道，就是圖示效果。因此，容易理解，柵極電壓必須低到一定程度才能導通，電壓越低，通道越厚，導通電阻越小。由於電場的強度與距離平方成正比，因此，電場強到一定程度之後，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，也是因為n型負離子的“退讓”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個導通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導通。但這種管子一般不生產，在市面基本見不到。所以，大家平時說MOS管，就預設是增強型的。

　　4、左右對稱

　　圖示左右是對稱的，難免會有人問怎麼區分源極和漏極呢？其實原理上，源極和漏極確實是對稱的，是不區分的。但在實際應用中，廠家一般在源極和漏極之間連線一個二極體，起保護作用，正是這個二極體決定了源極和漏極，這樣，封裝也就固定了，便於實用。我的老師年輕時用過不帶二極體的MOS管。非常容易被靜電擊穿，平時要放在鐵質罐子裡，它的源極和漏極就是隨便接。

　　5、金屬氧化物膜

　　圖中有指示，這個膜是絕緣的，用來電氣隔離，使得柵極只能形成電場，不能通過直流電，因此是用電壓控制的。在直流電氣上，柵極和源漏極是斷路。不難理解，這個膜越薄：電場作用越好、坎壓越小、相同柵極電壓時導通能力越強。壞處是：越容易擊穿、工藝製作難度越大而價格越貴。例如導通電阻在歐姆級的，1角人民幣左右買一個，而2402等在十毫歐級的，要2元多（批量買。零售是4元左右）。

　　6、與實物的區別

　　上圖僅僅是原理性的，實際的元件增加了源-漏之間跨接的保護二極體，從而區分了源極和漏極。實際的元件，p型的，襯底是接正電源的，使得柵極預先成為相對負電壓，因此p型的管子，柵極不用加負電壓了，接地就能保證導通。相當於預先形成了不能導通的溝道，嚴格講應該是耗盡型了。好處是明顯的，應用時拋開了負電壓。

　　7、寄生電容

　　上圖的柵極通過金屬氧化物與襯底形成一個電容，越是高品質的MOS管，膜越薄，寄生電容越大，經常MOS管的寄生電容達到nF級。這個引數是mos管選擇時至關重要的引數之一，必須考慮清楚。Mos管用於控制大電流通斷，經常被要求數十K乃至數M的開關頻率，在這種用途中，柵極訊號具有交流特徵，頻率越高，交流成分越大，寄生電容就能通過交流電流的形式通過電流，形成柵極電流。消耗的電能、產生的熱量不可忽視，甚至成為主要問題。為了追求高速，需要強大的柵極驅動，也是這個道理。試想，弱驅動訊號瞬間變為高電平，但是為了“灌滿”寄生電容需要時間，就會產生上升沿變緩，對開關頻率形成重大威脅直至不能工作。

　　8、如何工作在放大區

　　Mos管也能工作在放大區，而且很常見。做映象電流源、運放、反饋控制等，都是利用mos管工作在放大區，由於mos管的特性，當溝道處於似通非通時，柵極電壓直接影響溝道的導電能力，呈現一定的線性關係。由於柵極與源漏隔離，因此其輸入阻抗可視為無窮大，當然，隨頻率增加阻抗就越來越小，一定頻率時，就變得不可忽視。這個高阻抗特點被廣泛用於運放，運放分析的虛連、虛斷兩個重要原則就是基於這個特點。這是三極體不可比擬的。

　　9、發熱原因

　　Mos管發熱，主要原因之一是寄生電容在頻繁開啟關閉時，顯現交流特性而具有阻抗，形成電流。有電流就有發熱，並非電場型的就沒有電流。另一個原因是當柵極電壓爬升緩慢時，導通狀態要“路過”一個由關閉到導通的臨界點，這時，導通電阻很大，發熱比較厲害。第三個原因是導通後，溝道有電阻，過主電流，形成發熱。主要考慮的發熱是第1和第3點。許多mos管具有結溫過高保護，所謂結溫就是金屬氧化膜下面的溝道區域溫度，一般是150攝氏度。超過此溫度，MOS管不可能導通。溫度下降就恢復。要注意這種保護狀態的後果。